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文檔簡介
1、激光作為一種熱源,由于其具有的瞬態(tài)非平衡能量輸出機制以及作用在材料時的超快加熱效應(yīng),近幾年在納米材料的制備中已有所應(yīng)用。當(dāng)激光照射材料時,在激光作用的三維空間內(nèi),激光能量呈現(xiàn)出一定的梯度分布,使得在激光束作用下的粉體材料處于一個梯度溫度場內(nèi),為材料的合成提供了條件。 本文以激光為熱源,以SiC納米顆粒材料為前驅(qū)體,進行了激光照射下SiC納米顆粒原位生長晶須的試驗,探索SiC晶須在激光照射下穩(wěn)定生長的條件及其生長過程。所完成的工作
2、主要有: 1.分析了平行光斑照射層的能量場。將激光輸出模式TEM01簡化成TEM00基模,建立了高斯分布的激光能量場模型。 2.對垂直光斑照射層進行溫度分析,建立了溫度場。 3.采用被照射表面與光斑垂直的方式進行SiC納米顆粒激光照射試驗。對樣品進行掃描電鏡分析,探索晶須的生長過程及晶須的生長條件。 4.在一定的激光參數(shù)下,比較未加粘結(jié)劑樣品和添加粘結(jié)劑樣品的晶須生長情況,進而分析了粘結(jié)劑對晶須純度、生長
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