2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁(yè)
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1、集成電路的故障診斷是集成電路設(shè)計(jì)與生產(chǎn)過(guò)程中的一個(gè)重要部分。診斷分故障檢測(cè)和故障定位兩部分。傳統(tǒng)的基于電壓的功能測(cè)試方法在理論方面的研究已經(jīng)比較成熟,并且得到了廣泛的應(yīng)用。但這種方法無(wú)法有效的檢測(cè)某些故障,對(duì)于現(xiàn)代高性能集成電路是不充分的?;陔娏鞯墓收显\斷方法包括靜態(tài)電流診斷方法(IDDQ)和動(dòng)態(tài)電流診斷方法(IDDT),是近期發(fā)展起來(lái)的新方法。它通過(guò)從電源電流信號(hào)中提取有效的信息來(lái)進(jìn)行故障診斷,能夠提高故障覆蓋率,降低測(cè)試成本并提高

2、集成電路產(chǎn)品的質(zhì)量與可靠性。它可以彌補(bǔ)傳統(tǒng)方法的許多不足之處,是傳統(tǒng)方法的重要補(bǔ)充。電流測(cè)試方法有著非常廣闊的應(yīng)用前景,但理論上還未成熟,許多問(wèn)題有待研究。
  本文著重在靜態(tài)電流檢測(cè)方法、動(dòng)態(tài)電流檢測(cè)方法以及故障定位算法三個(gè)方面進(jìn)行了研究。在靜態(tài)電流檢測(cè)方面,首先闡述了IDDQ檢測(cè)的基本原理以及優(yōu)缺點(diǎn);分析了深亞微米技術(shù)對(duì)IDDQ測(cè)試的影響以及IDDQ的改進(jìn)方法。并對(duì)CMOS電路與BiCMOS電路的橋接故障作了IDDQ檢測(cè)仿真實(shí)

3、驗(yàn),分析了IDDQ檢測(cè)的故障覆蓋率。在動(dòng)態(tài)電流檢測(cè)方面,首先分析了動(dòng)態(tài)電流檢測(cè)的可行性,然后解釋了動(dòng)態(tài)電流檢測(cè)的基本原理并對(duì)現(xiàn)有動(dòng)態(tài)電流處理方法作了比較與分析。并通過(guò)仿真實(shí)驗(yàn),分析了動(dòng)態(tài)電流檢測(cè)方法對(duì)CMOS與BiCMOS電路中短路故障、開(kāi)路故障、晶體管參數(shù)錯(cuò)誤的測(cè)試情況。此外,針對(duì)較難檢測(cè)的延遲故障,專門討論了適合于延遲故障檢測(cè)的電流測(cè)試方法。在故障定位算法方面:本文設(shè)計(jì)了一種基于電流信息的電路故障定位算法,該算法將靜態(tài)電流診斷方法與

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