基于模型的OPC技術(shù)的評(píng)估和驗(yàn)證.pdf

1、當(dāng)集成電路制造工藝發(fā)展到O.13微米及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)，使用現(xiàn)有曝光設(shè)備(248nm和193nm)，由于日益明顯的光學(xué)l臨近效應(yīng)，集成電路工藝制造已經(jīng)無(wú)法制造出滿足電路功能要求的產(chǎn)品。在波長(zhǎng)更小的光刻系統(tǒng)出現(xiàn)前，為了能利用現(xiàn)有設(shè)備解決集成電路的可制造性問(wèn)題，工業(yè)界提出了對(duì)掩膜版進(jìn)行失真補(bǔ)償(光學(xué)臨近效應(yīng)修正)和在掩模上加相位轉(zhuǎn)移膜(移相掩膜)等的掩膜校正方法。這些校正方法的基本目的都是為了在已有的生產(chǎn)工藝設(shè)備基礎(chǔ)上制造出更小的特征尺寸，以使

2、晶片上得到的圖形和設(shè)計(jì)的版圖相一致。 然而，隨著掩膜版的成本在整個(gè)生產(chǎn)中所占比重越來(lái)越大，對(duì)于光學(xué)臨近效應(yīng)的模型可適性評(píng)估以及光學(xué)臨近效應(yīng)修正后的整個(gè)版圖可制造性的檢驗(yàn)在當(dāng)前的集成電路生產(chǎn)流程中并沒(méi)有引起足夠的重視，從而導(dǎo)致生產(chǎn)出來(lái)的掩膜版因?yàn)槟Ｐ突蛐拚牟蛔愣鴪?bào)廢。在建立好的模型對(duì)芯片版圖進(jìn)行修正前，由于模型建立過(guò)程中的復(fù)雜性和近似處理等不可避免的會(huì)導(dǎo)致模型只具有特定條件下的可用性。另外目前使用的光學(xué)臨近校正方法還是基于邊的修

3、正方式，這就使得修正結(jié)果很大程度受到切段方法的限制，同時(shí)在版圖設(shè)計(jì)中，設(shè)計(jì)者還沒(méi)有很好的考慮設(shè)計(jì)對(duì)制造的友好性問(wèn)題，這使得版圖中的一些圖形由于周圍條件的限制，無(wú)法充分進(jìn)行光學(xué)臨近校正，從而使得版圖設(shè)計(jì)即使進(jìn)行了校正處理，還存在大量光刻故障的可能性。因此，為了提高成品率，對(duì)修正后的版圖進(jìn)行可制造性驗(yàn)證就是非常必要的工作。 由于目前基于模型的光學(xué)臨近效應(yīng)修正大量被業(yè)界采用，因此本文主要針對(duì)模型的建立和可用性以及修正后版圖可制造性的驗(yàn)

4、證和設(shè)計(jì)。本文主要包括兩部分，第一部分主要介紹了光學(xué)臨近效應(yīng)的原理，光刻模擬算法和模型的分類和影響因素，并且在此基礎(chǔ)上分析對(duì)于模型可用性評(píng)估時(shí)需要研究的幾個(gè)方面以及如何有效的通過(guò)流程來(lái)實(shí)現(xiàn)。第二部分在第一部分對(duì)于模型評(píng)估完成的基礎(chǔ)上，針對(duì)傳統(tǒng)方法使用基于邊的修正后版圖檢驗(yàn)的局限性的問(wèn)題，介紹了一種基于格點(diǎn)的模擬檢驗(yàn)方法，用這種方法對(duì)版圖進(jìn)行檢查，可以充分找到來(lái)自于校正時(shí)配方或者是版圖設(shè)計(jì)中的缺陷，并給出修改的建議，使得修改后的版圖滿足可