一維CdSe納米材料的制備及光電性能研究.pdf

1、本研究首先利用氧化鋁膜板輔助電化學(xué)沉積法成功合成了直徑為200nm，長(zhǎng)度為4~5μm的CdSe納米線。通過透射電子顯微技術(shù)（TEM）和X射線散射能譜(EDX)研究電沉積時(shí)間和電鍍液濃度對(duì)納米線形貌結(jié)構(gòu)和化學(xué)成分的影響。結(jié)果表明，納米線的長(zhǎng)度隨著反應(yīng)時(shí)間延長(zhǎng)而增加，直徑與模板孔徑保持一致；調(diào)整電鍍液中Cd2+和SeO2的濃度可以得到化學(xué)計(jì)量比接近1∶1的CdSe納米線。納米線的光致發(fā)光光譜（PL）在545nm處出現(xiàn)一個(gè)明顯的熒光發(fā)射峰，這

2、可以歸因于納米線表面的缺陷發(fā)光；結(jié)合電化學(xué)的相關(guān)理論對(duì)循環(huán)伏安法電沉積一維CdSe納米材料的機(jī)理進(jìn)行了初步的分析。 通過溶劑熱法，在180℃，利用聚丙烯酰胺輔助合成了直徑約為20nm，長(zhǎng)度為幾百納米到幾微米的CdSe納米線。通過XRD、TEM、HR-TEM表征了產(chǎn)物的的結(jié)構(gòu)和形貌，并且討論了反應(yīng)時(shí)間對(duì)產(chǎn)物形貌的影響以及有機(jī)溶劑和聚合物輔助納米線生長(zhǎng)的機(jī)制。通過紫外-可見光譜和光致發(fā)光光譜研究了納米線的光學(xué)性能，在660nm處有一

3、明顯的吸收峰，與體相材料相比具有明顯的量子尺寸效應(yīng)。 利用所制備的納米線，在80℃下，通過水溶液反應(yīng)在一維CdSe納米材料表面生長(zhǎng)一層粒徑為10nm左右的CdS納米顆粒，成功制備了核殼結(jié)構(gòu)的CdSe/CdS納米復(fù)合材料。通過透射電子顯微照片（TEM）和X射線衍射圖譜（XRD）表征CdSe/CdS納米復(fù)合材料的形貌結(jié)構(gòu)和成分組織，光致發(fā)光光譜（PL）和紫外-可見吸收光譜（UV-visable）表征納米材料的光學(xué)性能。 利用