CSS法制備CdTe薄膜的摻雜性質(zhì)研究.pdf

1、Ⅱ-Ⅵ族半導(dǎo)體化合物碲化鎘(CdTe)因其具有良好的光電性質(zhì)，而成為制備高效率、低成本的多晶薄膜太陽(yáng)電池理想的吸收層材料。本文概述了CdTe多晶太陽(yáng)能電池的發(fā)展及其應(yīng)用前景，并對(duì)CdTe薄膜的不同摻雜情況作了討論研究。 本文主要部分總結(jié)了我的兩方面工作：(1)采用近距離升華(CSS)方法制備自摻雜Te的CdTe薄膜，研究富Te對(duì)CdTe薄膜性質(zhì)的影響，同時(shí)對(duì)樣品進(jìn)行了不同條件的退火處理，分析了退火對(duì)樣品性質(zhì)的影響；(2)采用離子

2、注入技術(shù)對(duì)近距離升華方法制備的純CdTe薄膜進(jìn)行Cu離子的摻雜，并對(duì)其在N<,2>氣氛下退火，討論Cu離子注入劑量及退火對(duì)薄膜性質(zhì)的影響。 通過(guò)分析薄膜的結(jié)構(gòu)、形貌、光吸收、光致發(fā)光等性質(zhì)，我們得出如下主要結(jié)論：(1)適量摻Te改善了CdTe薄膜的結(jié)晶質(zhì)量，CdTe薄膜的晶格常數(shù)變大，禁帶寬度E<,g>有略微減小，晶體中受主能級(jí)深度無(wú)變化——摻Te對(duì)CdTe薄膜的光學(xué)性質(zhì)影響不大。退火有助于進(jìn)一步提高薄膜結(jié)晶性，改善缺陷等引起的