SPI接口閃存測(cè)試方法及程序開(kāi)發(fā).pdf

1、隨著科技的快速發(fā)展，電子產(chǎn)品在我們的曰常生活中扮演著越來(lái)越重要的角色，而芯片技術(shù)作為電子產(chǎn)品的核心部分也在高速的發(fā)展著。閃存是芯片中發(fā)展最快應(yīng)用最廣泛的產(chǎn)品之一，串行接口的閃存以它面積小，成本低和結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單而被廣泛關(guān)注，越來(lái)越多的芯片供應(yīng)商都陸續(xù)的投入到串行接口閃存的開(kāi)發(fā)當(dāng)中。(NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局

2、面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND nash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級(jí)。NOR的特點(diǎn)是芯片內(nèi)執(zhí)行(XIP,eXecute In P1ace)，這樣應(yīng)用程序可以直接在nash閃存內(nèi)運(yùn)行，不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。NOR的傳輸效率很高，在1～4MB的小容量時(shí)具有很高的成本效益，但是很低的寫(xiě)入和擦除速度大大影響了它的性能。 NAND結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度，可以達(dá)到高存儲(chǔ)

3、密度，并且寫(xiě)入和擦除的速度也很快。應(yīng)用NAND的困難在于flash的管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。)本文主要研究了針對(duì)SPI串行接口閃存開(kāi)發(fā)的測(cè)試方法和測(cè)試程序，在本文中闡述了在開(kāi)發(fā)中碰到的許多與并行接口不同的難題及解決方法。本文主要有七個(gè)部分組成：序言部分，介紹了課題背景及開(kāi)發(fā)方向；第二部分介紹了閃存的基本結(jié)構(gòu)及工作原理和SPI接口的基本特性；第三部分介紹了本課題研究的SPI閃存產(chǎn)品的基本功能及內(nèi)部結(jié)構(gòu)；第四章介紹了針對(duì)該產(chǎn)品的測(cè)試方法的

4、開(kāi)發(fā)；第五部分介紹了在實(shí)現(xiàn)該產(chǎn)品測(cè)試方法過(guò)程中碰到的具體問(wèn)題及解決方法；第六部分介紹了產(chǎn)品的流片和驗(yàn)證；最后部分是結(jié)論語(yǔ)和未來(lái)工作的展望及主要參考文獻(xiàn)。在本文中還重點(diǎn)介紹了多種針對(duì)SPI串行接口開(kāi)發(fā)的測(cè)試方法，比如：高頻測(cè)試下測(cè)試機(jī)臺(tái)的測(cè)試精度的問(wèn)題：我們引用了時(shí)鐘偏移量的概念；在并行數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)成串行數(shù)據(jù)的問(wèn)題中，我們引用了愛(ài)德萬(wàn)公司的cycle palette硬件及開(kāi)發(fā)了相應(yīng)的測(cè)試代碼來(lái)實(shí)現(xiàn)；在測(cè)試時(shí)間的問(wèn)題中，我們開(kāi)發(fā)了特殊的電路來(lái)支持

5、特殊的測(cè)試方法：比如，地址自加讀操作模式，多存儲(chǔ)模塊同時(shí)寫(xiě)模式，這些測(cè)試方法大大縮短了測(cè)試時(shí)間從而減少了測(cè)試成本；在運(yùn)用特殊測(cè)試方法碰到了引腳不夠的問(wèn)題中，設(shè)計(jì)了引腳復(fù)用的電路，還改造了愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試機(jī)臺(tái)的測(cè)試頭硬件，使其在不同的測(cè)試模式下能夠切換根據(jù)測(cè)試需要切換硬件資源等等。這些方法不但已被成功的應(yīng)用到16MHz的SPI閃存生產(chǎn)的測(cè)試當(dāng)中，還將被應(yīng)用到32M和64M甚至更高端的SPI產(chǎn)品的測(cè)試中，同時(shí)也為開(kāi)發(fā)其它串行接口類(lèi)型的閃存產(chǎn)品提供