碳化硅顆粒增強(qiáng)鎂基復(fù)合材料的制備及性能研究.pdf

1、本文采用熔劑保護(hù)法，以金屬鎂為基體，以尺寸5～10μm的碳化硅顆粒為增強(qiáng)相，制備了碳化硅顆粒增強(qiáng)的鎂基復(fù)合材料。研究了各種制備條件對復(fù)合材料微觀組織及性能的影響。 實(shí)驗(yàn)得到了均勻彌散分布的碳化硅顆粒增強(qiáng)的鎂基復(fù)合材料，其最佳制備條件為：復(fù)合溫度845℃；保溫時間60min；保溫溫度400℃；冷卻方式空氣冷卻；SiC顆粒加入方式為把鎂條盤成圓形，SiC顆粒均勻摻入到鎂圓盤的縫隙中；SiC顆粒的預(yù)處理方式是在800℃高溫焙燒2小時。

2、 復(fù)合材料相組成分析表明，在復(fù)合材料的制備過程中，界面發(fā)生輕微的化學(xué)反應(yīng)，有高強(qiáng)硬質(zhì)的Mg2Si結(jié)構(gòu)材料生成。 SiC顆粒增強(qiáng)鎂基復(fù)合材料的性能研究表明，隨著SiC顆粒加入量的增加，復(fù)合材料的硬度和密度也呈增加趨勢；SiC顆粒可作為增強(qiáng)相有效地提高基體鎂的抗拉強(qiáng)度和屈服強(qiáng)度，當(dāng)SiC顆粒加入量相同，復(fù)合材料的其它制備條件不同時，材料的抗拉強(qiáng)度和屈服強(qiáng)度也有差異；隨著SiC顆粒加入量的增加，復(fù)合材料的電導(dǎo)率逐漸降低。