微環(huán)激光器的設(shè)計(jì)與測(cè)量.pdf

1、本文采用InP基InAlGaAs多量子阱激光器外延材料結(jié)構(gòu)，利用感應(yīng)耦合等離子體(ICP)干法刻蝕技術(shù)和聚酰亞胺介質(zhì)平坦化工藝，研制了多量子阱半導(dǎo)體環(huán)形激光器樣品。微環(huán)諧振器在光通信方面具有廣泛的應(yīng)用。由于微環(huán)諧振器的諧振不需要腔面或光柵來(lái)提供光反饋，因此十分有利于和其他光電子元器件的單片集成。研制此類器件的目的在于利用該器件的光學(xué)雙穩(wěn)態(tài)特性，通過(guò)多環(huán)甚至環(huán)形陣列等結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)全光存儲(chǔ)。首先通過(guò)計(jì)算器件參數(shù)，設(shè)計(jì)出多種合理的環(huán)波導(dǎo)與直波導(dǎo)

2、尺寸及耦合距離；再利用干法刻蝕等半導(dǎo)體工藝技術(shù)加工出成品。在測(cè)試過(guò)程中，通過(guò)向環(huán)形結(jié)構(gòu)諧振腔加正電壓以實(shí)現(xiàn)光激射，然后借助緊鄰的直線波導(dǎo)耦合將光信號(hào)輸出。環(huán)形諧振腔在激射的過(guò)程中，受微環(huán)諧振方程的限制，會(huì)自動(dòng)將諧振頻率選定在1550nm左右。在測(cè)試過(guò)程中，需考慮光纖與直波導(dǎo)端口的耦合效率問(wèn)題及器件的散熱問(wèn)題。用光纖與直線波導(dǎo)端口耦合測(cè)試了環(huán)形激光器的光功率—電流特性曲線和激射光譜，得出當(dāng)環(huán)形諧振腔直徑為700μm，波導(dǎo)寬度為3μm時(shí)，閾