反向開關(guān)晶體管特性仿真及結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計.pdf

1、脈沖功率技術(shù)的發(fā)展對開關(guān)器件不斷提出新的要求。半導(dǎo)體功率器件由于其具有體積小、壽命長、工作穩(wěn)定、成本低、效率高、緊湊等突出的優(yōu)點(diǎn)，在脈沖功率技術(shù)領(lǐng)域占有了越來越重要的地位。反向開關(guān)晶體管RSD(Reversely SwitchedDynistor)在耐流、耐壓和耐di/dt 能力方面在半導(dǎo)體功率器件中表現(xiàn)優(yōu)良，可以承受高達(dá)數(shù)百kA的電流和數(shù)kV的電壓。
　　 從半導(dǎo)體的基本理論出發(fā)，結(jié)合RSD的基本結(jié)構(gòu)，得到了RSD的基本工作原

2、理方程。為了得到RSD預(yù)充階段等離子體的分布，采用計算機(jī)進(jìn)行仿真，運(yùn)用偏微分方程的數(shù)值解法，化微分為差分，采用MATLAB軟件，計算得到了RSD的N基區(qū)等離子體在預(yù)充階段各個不同時間點(diǎn)的分布。計算中使用的相關(guān)數(shù)據(jù)基于實際制備得到的器件，仿真得到的電流波形和實驗結(jié)果基本一致。
　　 結(jié)合對預(yù)充階段的等離子層的分布計算及試驗測試到的開通異常波形圖，分析了J1結(jié)和J3結(jié)在正向開通中分別注入到N基區(qū)和P基區(qū)的等離子體對J2結(jié)附近聚集的等