納米金屬氧化物的制備表征及其氣敏性能的研究.pdf

1、本文采用檸檬酸絡合法成功制備了典型的p型半導體復合金屬氧化物LaFeO3作為氣敏材料，運用XRD、SEM、EDX、TPD和XPS等分析手段表征了納米復合物物相結構、形貌、表面組成、吸脫附性能和元素間電子的相互作用，為了獲得最佳的可控反應條件，研究了不同合成方法、焙燒溫度、添加方法、添加劑和添加量對材料的物性、結構和氣敏性能的影響。 為了開發(fā)新型氣敏材料，本文采用SDS作為表面形貌控制劑的低溫水熱過程成功制備了長徑比高達50：1的

2、針狀1-D ZnO納米晶體，在考察了不同堿濃度、水熱反應時間和表面活性劑等可控參數(shù)對產(chǎn)物結構和形貌的影響的基礎上，探討了1-D ZnO的定向生長機理。氣敏性能測定結果表明1-D ZnO對氧化性氣體和還原性氣體均有敏感相應，并通過摻雜5wt％Nd和引入ZrO2作為第二組分形成10％ZrO2-90％ZnO復合金屬氧化物，來提高材料對CO和NO2氣體的靈敏度。 為了考察不同晶體形貌對材料氣敏性能的影響，選用不同的表面活性劑十六烷基三甲

3、基溴化銨（CTAB）、十二烷基磺酸鈉（SDS）和聚乙二醇（PEG）分別制得了鉛筆狀、針狀和花狀1-D ZnO納米結構，并對1-D ZnO的生長機理和表面活性劑在晶體定向生長中的作用進行了探討，而且發(fā)現(xiàn)晶體的形貌對材料氣敏性能有很大影響。并通過在制備過程中體相摻雜過渡金屬Cd來提高CTAB低溫水熱反應制得的鉛筆狀1-D ZnO對NO2和CO的靈敏度。 本文運用程序升溫吸脫附（TPD）、X射線晶體衍射（XRD）和X-射線光電子能譜（