ZrO-,2-包覆BMT與LMASZ微晶玻璃復(fù)合的微波介電材料.pdf

1、本文采取溶膠析出法對BMT(Ba(Mg1/3Ta2/3)O3)表面進(jìn)行ZrO2包覆處理，制備了真正意義上的BMT與微晶玻璃復(fù)合材料。測量了不同BMT體積分?jǐn)?shù)和不同熱處理制度下樣品的微波介電性能，結(jié)合X射線衍射和掃描電鏡分析，確定了樣品的晶相組成，闡述了它們之間的關(guān)系。 結(jié)果表明：ZrO2對BMT的表面包覆能夠抑制BMT與微晶玻璃反應(yīng)，只有存在ZrO2包覆時，BMT與微晶玻璃才能形成復(fù)合材料，否則，BMT在燒結(jié)過程中將與微晶玻璃發(fā)

2、生反應(yīng)而消失。ZrO2包覆層的厚度直接影響B(tài)MT與微晶玻璃的反應(yīng)程度，厚度大則抑制效果顯著，但是ZrO2包覆層厚度太大會產(chǎn)生剝落。 BMT阻礙復(fù)合材料的燒結(jié)致密化，隨著BMT含量增加，樣品密度下降，本該提高的介電常數(shù)被氣孔率抵消。ZrO2包覆層雖然有利于保留BMT含量，但較厚的涂層使樣品的Q值降低。溫度系數(shù)取決于樣品中所含各晶相的溫度系數(shù)及其相對含量。 600℃熱處理有利于ZnZrO2相的析出長大，隨著熱處理時間的延長