Co-Cu-Co結(jié)構(gòu)中納米氮化物（NNL）界面摻雜研究.pdf

1、在過(guò)去的二，三十年間，隨著金屬多層膜和顆粒膜的巨磁電阻（GMR）的發(fā)現(xiàn)，以研究、利用和控制電子自旋極化及其輸運(yùn)過(guò)程為核心的自旋電子學(xué)得到很大的發(fā)展，同時(shí)用磁電阻材料制備自旋電子學(xué)器件也取得了驚人的進(jìn)步，所有這些為后續(xù)的、更深入的信息存儲(chǔ)領(lǐng)域的開(kāi)發(fā)與研究奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。 傳統(tǒng)的Co/Cu/Co自旋閥或者Co/Cu多層膜結(jié)構(gòu)具有較大的磁電阻，但是其飽和場(chǎng)（或開(kāi)關(guān)場(chǎng)）太大，影響其實(shí)際應(yīng)用，為此，我們嘗試使用納米氮化層進(jìn)行界面調(diào)制或剪

2、裁，以期獲得好的磁電阻特性。我們?cè)趯?shí)驗(yàn)上發(fā)現(xiàn)，當(dāng)NNL在下界面(Co/Cu)摻雜時(shí)，得到了一個(gè)數(shù)值為-0.043％的反常磁電阻；當(dāng)NNL在上界面(Cu/Co)摻雜時(shí)，磁電阻近似為0；當(dāng)NNL同時(shí)在上、下界面摻雜時(shí)，也可得到的反常磁電阻（-0.005％），實(shí)驗(yàn)上獲得的這些反常磁電阻數(shù)值和Rahmouni等[1]在Co/Ru/Co及其摻雜體系中發(fā)現(xiàn)的反常磁電阻數(shù)值相當(dāng)。 為了從理論上進(jìn)一步證實(shí)這一結(jié)果，我們用Camley-Barnas的玻爾