針對硅基微顯示芯片后端工藝的技術優(yōu)化.pdf

1、自19世紀末陰極射線管(Cathode-Ray Tube；CRT)發(fā)明以來，隨著電視媒體，個人計算機及個人娛樂等市場的出現(xiàn)及蓬勃發(fā)展，圖像顯示技術及產(chǎn)品已廣泛應用于娛樂、軍事、教育、醫(yī)療等各個方面，無時無處不影響著現(xiàn)代人的生活。進入21世紀，圖像顯示技術也發(fā)生了巨大變革，更加多樣化，而近年基于硅半導體晶圓技術的硅基液晶微顯示器(Liquid Crystal on Silicon；LCOS)，已成為推動下一代大屏幕投影設備和數(shù)字電視成像系

2、統(tǒng)的核心器件。LCOS圖像顯示技術日趨成熟，面對今后幾年內(nèi)全世界影像技術的全數(shù)字化以及家電和電腦一體化進程所提出的更高要求，進一步向高清晰度、高性能和低成本方向持續(xù)發(fā)展。 LCOS技術基本上采用標準的CMOS晶圓亞微米、深亞微米的邏輯及高壓工藝技術來制造底板芯片，由于其同時作為光學器件而對后端工藝有一些特殊的工藝要求。光學投影亮度的均勻度要求極高的晶圓內(nèi)及芯片內(nèi)平整度，而越來越高要求的光學亮度對頂層金屬鏡面具有高反射等特點。本文

3、針對LCOS產(chǎn)品的特殊工藝要求，開展后端工藝的技術優(yōu)化。后端工藝的優(yōu)化帶來的高光學投影效果將使LCOS工藝在大屏幕顯示技術的激烈競爭中占據(jù)一定的優(yōu)勢地位。 本文共分為五章，第一章是對現(xiàn)代顯示技術做了簡單的介紹，簡單扼要地回顧了目前市場上較為成熟的各種技術的基本顯示原理及其特點，并從其基本原理和生產(chǎn)工藝出發(fā)分析比較了各自優(yōu)缺點，這有利于我們了解LCOS顯示技術的優(yōu)勢以及特點；第二章介紹了LCOS顯示技術原理及工藝，首先說明了LCO

4、S的基本工藝流程及系統(tǒng)原理，然后討論了LCOS顯示技術的應用和優(yōu)勢，最后是對LCOS顯示技術的產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢的研究；第三章分析了如何提高芯片顯示像素的反射率和芯片的整體平整度的研究內(nèi)容及研究目標；第四章研究了金屬層結構和工藝條件對反射率的影響，設計了一系列實驗并總結了針對于LCOS芯片反射率的技術優(yōu)化的實驗結果。第五章，我們首先討論了針對于提高LCOS芯片內(nèi)平整度的實驗結果，并對實驗結果做了具體的分析。然后針對于提高LCOS晶圓