C-,60-的制備及其摻銀薄膜的結(jié)構(gòu)分析.pdf

1、C<,60>薄膜作為新的半導(dǎo)體材料具備許多優(yōu)越特性,如禁帶寬度大、直接帶隙、快速響應(yīng)時間、高的光學(xué)損傷閥值、較寬的響應(yīng)頻帶等,這些性能預(yù)示了C<,60>薄膜在計算機(jī)、集成光學(xué)器件、光存儲器等方面具有廣闊的應(yīng)用前景,但C<,60>材料的制備與提純還一直是阻礙該新材料投入大規(guī)模實際應(yīng)用的主要因素.對于Ag摻雜C<,60>材料,相關(guān)研究很少.因此該實驗選擇Ag作為摻雜物質(zhì)進(jìn)行探索性研究,對其薄膜在不同實驗條件下的結(jié)構(gòu)作了仔細(xì)分析,為日后深入研

2、究奠定了實驗基礎(chǔ).該文首先研究了氦氣分壓、弧電流大小、電極間距以及電極推進(jìn)速度等實驗條件對制備C<,60>粗品產(chǎn)率的影響;接著選用柱色譜法分離提純得到了純度大于99.9﹪的C<,60>固體,比較了不同流動相和固定相的提純效率和效果;然后采用自己改進(jìn)后的真空鍍膜機(jī),利用電阻式加熱蒸鍍方法,得到了純C<,60>薄膜和不同摻雜比的銀摻雜薄膜;探討了深積速率、襯底種類、襯底表面結(jié)構(gòu)以及襯底溫度等實驗條件對薄膜結(jié)構(gòu)的影響;最后通過XPS,AFM,