Si晶體中位錯運動的分子動力學模擬.pdf

1、完全弛豫且具有低位錯密度的SiGe/Si虛層襯底技術近年來在微電子，激光，微波等領域應用的非常廣泛，對其性能的研究具有重大的理論和現(xiàn)實意義。分子設計和分子模擬是近來隨著材料科學與計算機技術的發(fā)展而發(fā)展起來的新研究領域，其應用前景廣泛，已受到很多研究者特別是材料研究者的重視，分子動力學模擬是分子模擬的一種常用方法?；谖诲e理論進行位錯動力學數(shù)值模擬研究成為當前一個嶄新的研究點。本文利用分子動力學技術對Si晶體中60度位錯的運動進行了數(shù)值模

2、擬。 本文介紹了分子動力學模擬的原理及方法，位錯的運動等基本理論。根據(jù)所研究對象的特點，選用Stillinger-Weber勢函數(shù)描述了Si原子之間的相互作用，采用Parrinello-Rahman方法對元胞施加應力，用分子動力學方法模擬了不同溫度、不同應力狀態(tài)下Si中60度位錯的運動特性。通過使用自行編制的分子動力學計算機程序，在VisualC++平臺上開發(fā)一些代碼來實現(xiàn)模擬過程，并運用Matlab與VisualC++的接口技