大通流能力ZnO壓敏電阻器的制備.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文分析了壓敏陶瓷的導電機理;介紹了壓敏陶瓷的研究現(xiàn)狀及存在的問題。國內(nèi)產(chǎn)品在能量耐受能力等大電流特性方面與國外產(chǎn)品存在一定的差距。分析表明優(yōu)化組分、改進工藝是提高通流能力的有效途徑。
   第二部分對現(xiàn)有工業(yè)生產(chǎn)工藝進行優(yōu)化。通過分析、對比不同方式的球磨、造粒、成型及燒結(jié)等工藝的優(yōu)缺點及其對氧化鋅壓敏陶瓷電學性能的影響,明確了各制備環(huán)節(jié)的優(yōu)化方式,確立了一條可行的研究技術(shù)路線。
   系統(tǒng)地研究了SiO2摻雜對氧化鋅壓

2、敏陶瓷電學性能的影響。研究表明,在1250℃燒結(jié),SiO2摻雜量為0.5mol%的樣品具有較高的非線性系數(shù)(α=52)和很小的泄漏電流(IL=23.4μA)。微觀結(jié)構(gòu)分析表明,少量SiO2摻雜(≤0.5mol%)可以促進ZnO晶粒均勻生長。
   研究了成型、噴霧造粒技術(shù)以及高阻層涂敷工藝對氧化鋅壓敏陶瓷通流能力的影響。采用等靜壓方式可以顯著提高大尺寸樣品(φ60mm)的密度分布均勻性,提高微結(jié)構(gòu)的均勻性,使通流能力從80kA提

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