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1、該文從體內(nèi)微缺陷和表面潔凈區(qū)的形成及其形成機(jī)理、影響微缺陷形成的因素、氫雜質(zhì)對(duì)體內(nèi)微缺陷的成核的影響、微缺陷對(duì)材料性能的影響及退火制度對(duì)電阻率均勻性的影響等方面對(duì)中子輻照區(qū)熔(氫)硅的退火特性進(jìn)行了系統(tǒng)的研究.中子輻照區(qū)熔(氫)硅片經(jīng)退火后會(huì)在硅片表面形成潔凈區(qū),而內(nèi)部形成體內(nèi)微缺陷.借助實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象對(duì)表面潔凈區(qū)和體內(nèi)微缺陷的形成機(jī)理進(jìn)行了解釋.退火制度(第一步退火溫度、退火時(shí)間、一步退火溫度)及腐蝕時(shí)間等因素對(duì)體內(nèi)微缺陷的形成及微缺陷的粒
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