微納壓印技術(shù)的應(yīng)用及抗粘涂層的研制.pdf

1、根據(jù)摩爾定律，芯片上的集成元件數(shù)每18個月數(shù)目增加一倍。但是隨著技術(shù)的進(jìn)步，光刻設(shè)備的價格也隨之上升。而納米壓印技術(shù)作為很有希望的下一代光刻技術(shù)，具有成本低，重復(fù)性好，可控性強(qiáng)等一系列優(yōu)點(diǎn)，逐漸被應(yīng)用于微細(xì)加工的各個領(lǐng)域。 本文在對納米壓印技術(shù)的前景以及國內(nèi)外相關(guān)工作進(jìn)行回顧的基礎(chǔ)上，針對熱壓印技術(shù)及其應(yīng)用展開了一系列研究。本文首先介紹了熱壓的工藝流程，隨后嘗試采用熱壓工藝完成具體器件的復(fù)制。實(shí)驗(yàn)中復(fù)制的器件為周期1.67u、陽

2、型線寬830nm左右的微納光柵。該微納光柵準(zhǔn)備應(yīng)用于波長為1.55u的波分復(fù)用系統(tǒng)。實(shí)驗(yàn)中采用全息衍射和感應(yīng)耦合等離子刻蝕的方法制備了光柵的模具，得到了一定深度的熔融石英光柵。隨后采用熱壓工藝，采用PETG材料完成了壓印過程，并優(yōu)化了壓印參數(shù)，分析了壓印過程的缺陷。 由于壓印是在微結(jié)構(gòu)上完成的，因此摩擦力以及隨之而產(chǎn)生的脫模成為影響壓印質(zhì)量的一個關(guān)鍵問題。為了進(jìn)一步得到更好的壓印結(jié)果，采用三氯硅烷的自組裝以及RIE反應(yīng)兩種方法在