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1、論文內(nèi)容分為兩部分:第一部分,研究了氧分壓、退火對(duì)氧化鉍薄膜的結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)的影響.第二部分,利用光學(xué)矩陣法探討介質(zhì)層厚度、襯底對(duì)雙記錄層磁光多層膜系的光強(qiáng)分布和焦耳分布的影響.具體內(nèi)容如下:1.利用純氧化鉍靶在不同的氧分壓下制備了氧化鉍薄膜,研究了氧分壓對(duì)結(jié)構(gòu)的影響,并分析了相對(duì)應(yīng)的光學(xué)性質(zhì);同時(shí),研究了退火對(duì)性質(zhì)的影響.利用X射線衍射(XRD)技術(shù)分析結(jié)構(gòu)的結(jié)果表明,氧分壓從0到0.4增加的過(guò)程中,BiO相成分在逐漸減少;當(dāng)氧分壓為
2、0.4時(shí),BiO相消失,其余晶系結(jié)晶也較差,薄膜幾乎為非晶態(tài)薄膜.由于氧化鉍膜的相成分多,結(jié)晶情況復(fù)雜,大多報(bào)導(dǎo)對(duì)其的分析只限于個(gè)別的波段.本文采用成熟的橢偏技術(shù)測(cè)量了Si襯底的氧化鉍樣品,利用商業(yè)軟件Filmwzard對(duì)橢偏參數(shù)進(jìn)行擬合,獲得了能量范圍從1.5eV~4.5eV的氧化鉍膜的光學(xué)常數(shù),并由其計(jì)算了光學(xué)禁帶寬度,其值與相關(guān)文獻(xiàn)報(bào)導(dǎo)的不同方法制備的氧化鉍膜的光學(xué)禁帶寬度的值相近似.擬合得到的樣品厚度,與臺(tái)階儀測(cè)量的厚度在誤差范
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