2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁(yè)
已閱讀1頁(yè),還剩136頁(yè)未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、C/C復(fù)合材料以其獨(dú)特的高溫性能和良好的綜合性能而成為高溫結(jié)構(gòu)材料最有競(jìng)爭(zhēng)力的候選材料。但是,易氧化的缺點(diǎn)嚴(yán)重地阻礙了C/C復(fù)合材料的實(shí)際應(yīng)用。為充分發(fā)揮C/C復(fù)合材料的所有潛力,氧化防護(hù)一直是C/C復(fù)合材料研究領(lǐng)域的熱點(diǎn)。本文采用具有設(shè)備工藝簡(jiǎn)單、成本低、易操作和不受零件尺寸限制的熔漿法制備了用于C/C復(fù)合材料氧化防護(hù)的Mo-Si-C-N系和Mo-Si-C-B系兩類抗氧化涂層。利用Ansys有限元分析軟件對(duì)涂層的結(jié)構(gòu)和成分進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)

2、;采用等溫循環(huán)氧化方式考察了涂層C/C復(fù)合材料的氧化行為,并根據(jù)累積重量變化率對(duì)涂層的防護(hù)效果進(jìn)行評(píng)價(jià);利用X射線衍射分析儀(XRD)、掃描電鏡(SEM)、透射電鏡(TEM)、高分辨電鏡(HREM)、X射線光電子能譜分析儀(XPS)及能量分散譜儀(EDS)等分析手段對(duì)涂層C/C復(fù)合材料氧化試驗(yàn)前后的組織結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征,探討了涂層的反應(yīng)合成機(jī)理和抗氧化機(jī)制。
  根據(jù)C/C復(fù)合材料抗氧化涂層的設(shè)計(jì)原則和各種耐高溫材料的基本特性,尤其是

3、熱膨脹系數(shù)與C/C復(fù)合材料的匹配程度,確定了以SiC為連接層,以MoSi2/Si為主結(jié)構(gòu)層的抗氧化涂層主體系,設(shè)計(jì)了含有SiC、Si3N4外涂層的Mo-Si-C-N系涂層和含有B-Si中間層的Mo-Si-C-B系涂層。
  利用Ansys有限元分析軟件模擬了MoSi2/Si主結(jié)構(gòu)層的成分和厚度對(duì)涂層C/C復(fù)合材料應(yīng)力分布的影響。計(jì)算結(jié)果顯示,MoSi2/Si主結(jié)構(gòu)層中MoSi2的含量應(yīng)小于40vol%,涂層的厚度應(yīng)控制在100μm

4、左右。
  試驗(yàn)研究了工藝參數(shù)對(duì)Mo-Si-C-N系抗氧化涂層組織結(jié)構(gòu)的影響,確定了涂層燒結(jié)過(guò)程中的起始氮化溫度必須控制在Si熔點(diǎn)以上的制備工藝,最佳工藝參數(shù)為:1500℃開始通入氮?dú)?1500℃,1h固化燒結(jié);確定了Mo-Si-C-B系涂層的制備工藝為:1450℃保溫1h,真空環(huán)境。
  研究結(jié)果表明,Mo-Si-C-N系抗氧化涂層具有三層結(jié)構(gòu),即由Si和基體C擴(kuò)散反應(yīng)形成的、鋸齒狀的、厚約10μm的微晶SiC內(nèi)層;由Mo

5、、Si原位反應(yīng)合成的、厚度可調(diào)的MoSi2/Si主結(jié)構(gòu)層;由幾微米厚的Si3N4層和SiC納米絲組成的外涂層。
  試驗(yàn)研究了Mo-Si-C-N系涂層中MoSi2的含量對(duì)涂層1400℃氧化行為的影響規(guī)律,確定了涂層中MoSi2相的最佳體積含量為30~40vol%。
  Mo-S-C-N系涂層C/C復(fù)合材料1200~1450℃的氧化動(dòng)力學(xué)研究表明,1200℃和1300℃時(shí),涂層的防護(hù)能力較差;1400℃時(shí),涂層具有最佳抗氧化性

6、能;1450℃氧化過(guò)程中,MS40-C/C復(fù)合材料迅速失重,抗氧化能力較差,而MS30-C/C復(fù)合材料氧化4小時(shí)后由氧化初期的迅速失重進(jìn)入穩(wěn)態(tài)階段,重量損失保持在0.0057~0.0059g?cm-2之間,說(shuō)明MS30-C/C復(fù)合材料在1450℃具備抗氧化能力。
  組織結(jié)構(gòu)觀察表明,涂層氧化后表面形成了SiO2玻璃相。氧化過(guò)程中,主結(jié)構(gòu)層中MoSi2顆粒沒(méi)有發(fā)生明顯的變化;而氧化激活能的計(jì)算值也與SiC和Si3N4的氧化激活能相

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論