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1、本課題將SiCw引入反應(yīng)燒結(jié)碳化硅(RBSC)體系,提出了一種制備高SiCw含量SiCw/SiC復(fù)合材料的思路,研究了材料制備工藝對(duì)SiCw/SiC復(fù)合材料顯微結(jié)構(gòu)的影響,討論了SiCw/C坯體的反應(yīng)燒結(jié)機(jī)理,對(duì)材料顯微結(jié)構(gòu)與力學(xué)性能的相關(guān)性作了研究。研究了材料的低溫?zé)Y(jié)過(guò)程,對(duì)SiCw燒結(jié)時(shí)的溶解以及SiO_2雜質(zhì)對(duì)材料燒結(jié)的影響作了深入的討論:采用在原料中摻入納米β-SiC微粉,使其優(yōu)先溶解而起到保護(hù)SiCw的作用。燒結(jié)溫度控制在1
2、550℃以下,燒結(jié)時(shí)間在5min以下。由此而制備了SiCw含量約為25vol%,密度為2.78g/cm~3的SiCw/SiC/Si復(fù)合材料。材料的抗折強(qiáng)度為287MPa,斷裂韌性為5.5MPa·m~(1/2)。觀察了材料斷口的形貌,晶須的橋聯(lián)和拔出是SiCw/SiC復(fù)合材料的主要增韌機(jī)制。對(duì)比了高溫?zé)Y(jié)時(shí)摻加SiCw和SiC顆粒的燒結(jié)情況,并在對(duì)兩種坯體的孔結(jié)構(gòu)特征的分析的基礎(chǔ)上,建立了一個(gè)燒結(jié)模型,說(shuō)明了SiCw對(duì)材料燒結(jié)的促進(jìn)作用。
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