低彎曲損耗光纖的分析測試及其在FTTH中的應(yīng)用.pdf

1、本論文的主要目標是為國內(nèi)光纖到戶FTTH建設(shè)提供一套合適的光纖網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)解決方案，解決光纖在樓宇內(nèi)由于過小的轉(zhuǎn)彎半徑引起的損耗過大問題，提升FTTH光網(wǎng)絡(luò)整體性能。 第一章分析了FTTH技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀與市場發(fā)展趨勢，F(xiàn)TTH應(yīng)用中光纖的發(fā)展以及影響FTTH性能的主要因素，得出彎曲損耗是影響FTTH性能的主要因素。 第二章通過對彎曲損耗的物理本質(zhì)分析，彎曲損耗的射線分析以及彎曲損耗的電磁理論分析導(dǎo)出彎曲損耗的表達式，并得出影

2、響彎曲損耗的主要因素是相對折射率差、纖芯半徑和模場直徑。 第三章結(jié)合ITU—T G.657“接入網(wǎng)用彎曲不敏感單模光纖和光纜特性”，在G.657A光纖抗彎曲特性和G.657B光纖抗彎曲特性的標準下，對低彎曲損耗光纖性能分析。對小模場直徑單模光纖、包層折射率凹陷光纖、孔助光纖（HAF）、光子晶體光纖(PCF)和納米結(jié)構(gòu)光纖的抗彎曲性能和接續(xù)性能測試。同時通過對制造工藝、彎曲損耗、接續(xù)損耗和標準的兼容性進行比較。小模場直徑單模光纖和

3、包層折射率凹陷光纖制造工藝比較簡單，但小模場直徑單模光纖和傳統(tǒng)的單模光纖接續(xù)時模場直徑不匹配，包層折射率凹陷光纖的抗彎曲性能提高有限。孔助光纖(HAF)和光子晶體光纖（PCF）的抗彎曲性能非常好，但和傳統(tǒng)的單模光纖接續(xù)時不匹配，制造工藝非常復(fù)雜。納米結(jié)構(gòu)光纖的制造在包層通過特殊的工藝產(chǎn)生納米級的氣孔，工藝相對比較簡單，且可以大規(guī)模生產(chǎn)，抗彎性能是G.652D的100倍以上，是G.657B的10倍。另外，納米結(jié)構(gòu)光纖符合G.652D、G.

4、657A和G.657B的標準，是光纖到戶FTTH的最佳選擇。 第四章結(jié)合FTTH無源光網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)架構(gòu)，對一個典型的住宅小區(qū)試驗項目的應(yīng)用，包括納米結(jié)構(gòu)光纖在中心機房、大樓光分配箱（FDH）、主干分支光纜、樓層光分配箱（FDT）、接入光纖、機械端接的光纖接頭和光纖接頭終端插座的應(yīng)用分析。通過對整個鏈路插入損耗和全光網(wǎng)絡(luò)的吞吐量、時延和丟幀率測試，證明納米結(jié)構(gòu)光纖在FTTH的應(yīng)用，解決了長期困擾著電信運營商們在高層建筑和公寓大樓內(nèi)進行