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1、本文以ICF激光驅(qū)動(dòng)裝置的打靶需求,即靶輻照的均勻性為背景,對(duì)高強(qiáng)度寬頻帶三倍頻進(jìn)行了研究,研究的方法和結(jié)果對(duì)利用寬帶激光打靶ICF實(shí)驗(yàn)有重要的參考價(jià)值。采用晶體正交級(jí)聯(lián)高效寬帶三倍頻轉(zhuǎn)換技術(shù)方案,研究了高強(qiáng)度寬帶激光諧波轉(zhuǎn)換過(guò)程中的物理問(wèn)題,并對(duì)高強(qiáng)度寬帶二倍頻和寬帶三倍頻諧波轉(zhuǎn)換的特性進(jìn)行了理論模擬分析,得出了相應(yīng)的計(jì)算結(jié)果:近場(chǎng)強(qiáng)度分布、倍頻效率、帶寬的變化等,在計(jì)算中考慮了橫向的衍射和晶體的吸收等因素,使理論比較完整。對(duì)寬帶三倍
2、頻“Ⅰ+Ⅱ+Ⅱ”方案在不同輸入帶寬下的參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化,并對(duì)寬帶二倍頻的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證做了分析,驗(yàn)證了寬帶二倍頻理論。在SILEX-I鈦寶石激光裝置上,進(jìn)行了KDP晶體的寬帶二倍頻實(shí)驗(yàn)研究,測(cè)量了倍頻效率以及入射光、出射光的光潛,結(jié)果與理論模擬基本符合。本文的內(nèi)容包括以下幾個(gè)方面: 1.介紹了幾種寬帶三倍頻技術(shù)方案,并對(duì)這些方案進(jìn)行了對(duì)比分析,分析了現(xiàn)階段采用晶體級(jí)聯(lián)方案的原因。 2.詳細(xì)分析了晶體級(jí)聯(lián)方案中寬帶二倍頻和三倍頻的
3、物理問(wèn)題,并對(duì)頻率耦合的物理過(guò)程做了分析,建立了長(zhǎng)脈沖情況下的寬帶二倍頻和三倍頻轉(zhuǎn)換物理模型。 3.對(duì)所建立的模型進(jìn)行了數(shù)值模擬,優(yōu)化了輸入帶寬為0.5nm、1nm和2nm時(shí)的晶體參數(shù),根據(jù)二倍頻轉(zhuǎn)換中的光譜變化,提出了一種頻譜優(yōu)化方案。 4.研究了空間位相調(diào)制基頻光對(duì)倍頻的光束質(zhì)量的影響,得出了寬帶三倍頻效率與調(diào)制深度的變化關(guān)系。 5.完成了寬帶啁啾脈沖激光二倍頻特性的實(shí)驗(yàn),實(shí)驗(yàn)結(jié)果與理論分析吻合較好。
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