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文檔簡介
1、自從1894年Currie通過晶體對(duì)稱性理論預(yù)測(cè)了磁電效應(yīng)的存在以來,有關(guān)多鐵材料的研究已成為當(dāng)前強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子體系的一個(gè)研究熱點(diǎn)。多鐵材料同時(shí)具有鐵電或反鐵電、鐵磁或反鐵磁的性質(zhì),這種材料互補(bǔ)了純的(反-)鐵電或(反-)鐵磁材料的不足而同時(shí)呈現(xiàn)電和磁的有序性。對(duì)這類材料的研究包含豐富的物理內(nèi)涵,對(duì)于揭示結(jié)構(gòu)、磁性和電性之間的相互關(guān)系,以及開發(fā)性能優(yōu)異的功能材料,都具有重要意義。從基礎(chǔ)研究上來講,這些多鐵材料表現(xiàn)出豐富的物理內(nèi)容,如壓電效應(yīng)
2、、磁電效應(yīng)、磁介電效應(yīng)以及各種相互作用之間的耦合,這些的現(xiàn)象激發(fā)了物理學(xué)研究人員的研究興趣。更重要的是,從應(yīng)用研究上來講,對(duì)多鐵材料的研究和探索,不僅對(duì)當(dāng)前的自旋電子學(xué)的應(yīng)用有重要意義,而且為信息存儲(chǔ)、集成電路以及磁傳感器器件方面的研制提供了有效途徑。
本論文通過對(duì)多鐵性材料外延薄膜的應(yīng)力、厚度效應(yīng)的研究,探索了多鐵材料外延薄膜的不同膜厚、不同基片對(duì)晶體結(jié)構(gòu)、鐵電性、介電常數(shù)、漏電流、鐵磁性的影響。
整篇論文分為四章
3、。
第一章全面介紹了多鐵性材料的物理和薄膜的研究狀況。首先回顧了多鐵材料的發(fā)展歷史、匱乏機(jī)制和多鐵材料的各種物性,如晶體結(jié)構(gòu)、鐵電性、鐵磁性、多鐵性、磁電效應(yīng)、磁介電效應(yīng)。最后討論了多鐵材料的外延薄膜的制備方法,及影響鐵電性和鐵磁性的相關(guān)因素(如摻雜、襯底、膜厚、生長條件等)以及期待解決的問題。
第二章以LaxBi1-xMnO3陶瓷為研究對(duì)象,主要探討了不同鑭含量、不同燒結(jié)溫度和由于鉍易揮發(fā)而添加不同過量鉍含量的塊材
4、晶體結(jié)構(gòu)。隨著x的減少,燒結(jié)溫度在不斷的降低。通過XRD衍射圖發(fā)現(xiàn),隨著x減小,LaxBi1-xMnO3陶瓷晶體結(jié)晶有所改善,但晶體的結(jié)構(gòu)沒有變,依然是立方結(jié)構(gòu)。相同鑭含量的LaxBi1-xMnO3,隨著燒結(jié)溫度的增加,可以有效的減除雜相,晶體結(jié)構(gòu)并未發(fā)生明顯的轉(zhuǎn)變。相同鑭含量的LaxBi1-xMnO3,添加過量的Bi是為了彌補(bǔ)Bi具有揮發(fā)性而帶來的Bi的缺失,通過衍射圖譜發(fā)現(xiàn),添加不同過量的鉍基本全部揮發(fā),圖譜結(jié)構(gòu)竟然出奇的相似。
5、r> 第三章,以La0.67Bi0.33MnO3和La0.12Bi0.88MnO3外延薄膜為研究對(duì)象,研究了晶格失配和薄膜厚度引起的外延膜晶體結(jié)構(gòu)變化。不同厚度的La0.67Bi0.33MnO3和La0.12Bi0.88MnO3外延薄膜被沉積到立方相的STO(001)和LSAT(001)單晶襯底上,XRD測(cè)試結(jié)果顯示,生長在單晶基底上的LBMO薄膜是單晶外延薄膜,具有與襯底相同的晶格取向;隨著膜厚的增加,LBMO外延膜的晶格經(jīng)歷應(yīng)變到
6、馳豫的變化。此外,也對(duì)生長在不同單晶襯底上的LBMO外延膜(厚度相同)的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了對(duì)比研究,結(jié)果表明,其結(jié)構(gòu)變化與基底和薄膜的晶格失配度有關(guān)。
第四章,以La0.12Bi0.88MnO3(LBMO)外延薄膜為研究對(duì)象,主要研究了晶格失配和薄膜厚度對(duì)LBMO外延膜電磁性質(zhì)的影響。相同襯底不同厚度的LBMO外延膜,因?yàn)殡S著膜厚的增加,薄膜中的電阻率增加,漏電流減小,介電常數(shù)增加,極化強(qiáng)度減小,磁化強(qiáng)度減小,Tp減小。此外,對(duì)相同厚
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