基于光導采樣測量方法的光電導開關設計與系統研究.pdf

1、隨著科技的發(fā)展，超高速電子器件及光電子器件發(fā)展很快，特別是一些新的半導體材料制造技術的應用，使得半導體器件的響應速度己達到幾個皮秒甚至亞皮秒。這些高速器件的帶寬，已經遠超過了傳統的純電子測量技術的能力，因此必須尋找新的測量方法。而光電導采樣測量技術是利用快速光電導開關作為采樣門來測量高速電信號波形的一種激光探針測量技術，它可以實現非常高的系統測量電壓靈敏度和信噪比，系統測量帶寬可達THz。在這種背景下，本文結合傳統光刻工藝與原子力顯微鏡

2、(Atomic Force Microscopy，AFM)陽極誘導氧化加工技術，制作超快高性能的光電導開關，對開關的光電導采樣測量方法進行了研究，設計了光電導開關的光電導采樣測量系統。本文的主要研究內容和研究結果如下：
　　 ⑴通過比較各種常用光電導材料和傳輸線樣式的優(yōu)缺點，針對本文要實現的功能，選定采用GaAs作為光電導開關的襯底，設計了專門針對光電導開關的光導采樣測量方法的開關的傳輸線版圖結構；
　　 ⑵從理論上分析