NAND Flash壞塊管理算法及邏輯層驅(qū)動設(shè)計.pdf

1、踏入二十一世紀(jì)，NAND Flash memory（快閃記憶體），已廣泛應(yīng)用于移動手提設(shè)備和嵌入式系統(tǒng)中，NAND Flash無疑已經(jīng)成為主流的大容量存儲介質(zhì)。 由于NAND Flash出廠時和在使用中均會產(chǎn)生壞塊，壞塊管理一直是NAND Flash管理的關(guān)鍵和難點所在。傳統(tǒng)的針對小容量NAND Flash采用的壞塊管理算法已經(jīng)不能適應(yīng)現(xiàn)代大容量NAND Flash的需要。因此，急需突破傳統(tǒng)的NAND Flash壞塊管理設(shè)計思想

2、，研究新的壞塊管理算法與關(guān)鍵技術(shù)。在上述研究內(nèi)容中，壞塊替換和邏輯——物理塊地址映射表的更新是壞塊管理算法的核心內(nèi)容，因此本論文重點研究NAND Flash中的壞塊管理算法與相應(yīng)的邏輯層驅(qū)動設(shè)計，主要研究成果如下： （1）本論文在綜合分析ST等主流NAND Flash芯片供應(yīng)商提供的壞塊管理方法基礎(chǔ)上，提出了一種優(yōu)化了的動態(tài)壞塊管理算法。在NAND Flash使用過程中，遇到擦除失敗或編程失敗的塊，進行動態(tài)的壞塊管理，動態(tài)更新壞

3、塊信息表。 （2）針對目前流行嵌入式系統(tǒng)大部分采用FAT文件系統(tǒng)管理NAND Flash的情況，結(jié)合新一代大容量NAND Flash均支持的cache program、multi-page program等操作方式，以動態(tài)壞塊管理算法為基礎(chǔ)，設(shè)計實現(xiàn)了NAND Flash芯片的邏輯層驅(qū)動，給出其具體函數(shù)實現(xiàn)，并在FPGA平臺上通過驗證。該方法在HT3001芯片設(shè)計中通過了驗證，該芯片現(xiàn)已流片并量產(chǎn)。 分析結(jié)果表明，本論文