硅硅直接鍵合的理論及工藝研究.pdf

1、　　兩個(gè)表面平整潔凈的硅片在一定條件下可以通過(guò)表面的化學(xué)鍵互相連接起來(lái)，這就是硅硅直接鍵合技術(shù)。它由于其靈活性和半導(dǎo)體工藝的兼容性已經(jīng)引起了廣泛的重視。但由于隨著鍵合面積增大，界面空洞的消除問(wèn)題還未得到有效的解決，從而得不到較強(qiáng)的鍵合強(qiáng)度，因此要將這種技術(shù)實(shí)用化還需繼續(xù)進(jìn)行研究。鍵合技術(shù)用于電子器件的制造已經(jīng)被證實(shí)有獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，但界面過(guò)渡區(qū)的控制還是一個(gè)難點(diǎn)，其工藝還有待研究。　　本文系統(tǒng)地論述了硅硅直接鍵合的工藝機(jī)理、工藝過(guò)程及其各

2、種檢測(cè)方法。首先對(duì)SDB的工藝機(jī)理進(jìn)行了說(shuō)明，并分析了引起鍵合界面空洞的原因，提出了增強(qiáng)鍵合強(qiáng)度及控制鍵合界面電學(xué)特性的措施。鍵合的工藝過(guò)程包括：表面清洗處理、預(yù)鍵合和高溫退火。根據(jù)課題目標(biāo)，改進(jìn)了鍵合工藝，得到了鍵合強(qiáng)度與體硅相當(dāng)?shù)逆I合片。介紹了衡量鍵合片質(zhì)量的各種檢測(cè)方法原理，并開(kāi)發(fā)了相關(guān)檢測(cè)設(shè)備為實(shí)驗(yàn)服務(wù)?！　」桄I合片的缺陷主要集中在鍵合界面，鍵合強(qiáng)度受到很大影響。通過(guò)Weibull分析理論來(lái)研究鍵合片界面缺陷的分布情況。而且對(duì)