質子和電子共同輻照下GaAs-Ge太陽電池電性能退化研究.pdf

1、本文通過地面模擬空間環(huán)境實驗，對應用在航天器上的GaAs/Ge太陽電池在空間質子和電子共同輻照作用下電性能的損傷效應進行了研究。
　　在模擬空間質子與電子共同輻照的實驗中，質子與電子的能量選為100KeV，電子最大輻照劑量達到1×1016cm-2，質子最大輻照劑量達到1×1012cm-2。為了研究兩種粒子在共同輻照時對GaAs/Ge太陽電池不同的損傷作用，我們采用了先質子后電子、先電子后質子以及質子與電子的共同輻照等三種輻照類型。

2、通過伏安特性（I-V）、光譜響應、光學反射率、光致發(fā)光光譜（PL）、X射線雙晶衍射、紅外反射光譜、電容-電壓特性（C-V）及霍爾效應等測試手段研究了質子與電子順序輻照和共同輻照前后電池微觀結構和性能的變化，得到了不同輻照類型與不同粒子劑量對GaAs/Ge太陽電池的損傷規(guī)律與導致性能退化的原因。
　　根據(jù)SRIM2003和CasinoV2.42軟件模擬100KeV質子與電子對GaAs/Ge太陽電池的輻照結果，我們發(fā)現(xiàn)100KeV質子