對半色調(diào)式PSM的應(yīng)用中旁瓣效應(yīng)的研究.pdf

1、近二十年來，集成電路技術(shù)迅猛發(fā)展，集成度的不斷提高一直遵從摩爾定律：動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)的集成度每十八個(gè)月翻一番。隨著芯片特征尺寸的微縮，芯片圖案集成度的增高，光刻作為整個(gè)半導(dǎo)體制程中的非常重要的一個(gè)環(huán)節(jié)，也面臨著越來越多的挑戰(zhàn)。解析度增強(qiáng)技術(shù)的研發(fā)和應(yīng)用減小了光刻所能提供的特征圖形尺寸，推動著半導(dǎo)體行業(yè)不斷的前行。
　　本文詳細(xì)介紹了提高曝光分辨率的離軸照明技術(shù)；提高圖形對比度的相位移掩模技術(shù)；使顯影圖形更接近電路設(shè)計(jì)，提

2、高電路可靠性的光學(xué)臨近效應(yīng)修正技術(shù)；消除基底反射的抗反射層涂布技術(shù)。
　　在半色調(diào)式PSM的應(yīng)用中，由于半透明材料作為遮光膜，曝光時(shí)光束可以局部穿透，在改善成像質(zhì)量的同時(shí)，不可避免的會產(chǎn)生漏光的問題,造成旁瓣效應(yīng)。隨著集成電路線寬進(jìn)入亞微米尺寸以后，曝光光源相應(yīng)的由I-line發(fā)展到KrF。但是因?yàn)镵rF比較弱的照明強(qiáng)度，光刻膠也在朝著較高感光靈敏度和對比度的方向變化著，在成像質(zhì)量和成像速度大幅提高的同時(shí)，極易因旁瓣的光強(qiáng)達(dá)到光刻