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1、Ti<,3>AlC<,2>兼金屬和陶瓷兩者的優(yōu)點(diǎn)于一身,具有易加工、良好的導(dǎo)電、抗熱震、抗氧化等優(yōu)異性能,成為國(guó)內(nèi)外研究的熱點(diǎn)。若要促進(jìn)Ti<,3>AlC<,2>在工程上廣泛應(yīng)用,需要批量合成高純度、低成本Ti<,3>AlC<,2>粉體,但目前的合成工藝和原料配方都無(wú)法實(shí)現(xiàn)上述目標(biāo)。因此,本論文主要目標(biāo)是在原料配方和合成工藝等關(guān)鍵參數(shù)上取得突破,獲得低成本,高純度Ti<,3>AlC<,2>粉體。 本論文主要研究?jī)?nèi)容包括:利用Ti
2、的化合物廉價(jià)粉體取代傳統(tǒng)配料中的金屬Ti粉,采用常壓合成工藝,確定相關(guān)工藝參數(shù),獲得單一相Ti<,3>AlC<,2>粉體。這樣不僅能在原料上直接降低合成Ti<,3>AlC<,2>粉體的成本,而且采取的工藝有利于工業(yè)化生產(chǎn)。在上述優(yōu)化工藝參數(shù)的基礎(chǔ)上,進(jìn)一步制備致密Ti<,3>AlC<,2>塊體及ZrC/Ti<,3>AlC<,2>復(fù)合材料,并研究相關(guān)性能。 研究表明:當(dāng)采用TiC粉體,按Ti:TIC:AI:Sn=1:1:1:0.1
3、,其中Sn為反應(yīng)助劑,在1350~1500℃溫度范圍,氬氣保護(hù)氣氛下,保溫10分鐘,合成了單一相Ti<,3>AlC<,2>粉體。采用TiH<,2>完全取代上述配方中的Ti粉,按TiH<,2>:TiC:Al:Sn=1:1:1:0.1,在1500℃下,真空氣氛下,保溫10分鐘,同樣獲得了單一相Ti<,3>AlC<,2>粉體。利用X-射線衍射、掃描電鏡(SEM)、能譜分析、差熱分析等技術(shù)手段,對(duì)Ti<,3>AlC<,2>的合成機(jī)制和反應(yīng)過(guò)程進(jìn)
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