晶片減薄設備技術研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本研究課題為中國電子科技集團公司第四十五研究所型普科研項目。晶片減薄設備是對晶片背面材料(主要是半導體硅材料)進行磨削加工的設備。 論文首先通過晶片減薄技術原理研究，分析了硬脆材料加工理論、硬脆材料加工的壓痕斷裂理論和切削模型近似理論：在對硬脆材料高速磨削和微量切深磨削中存在著塑性去除機理，當切深達到臨界深度后，脆性材料的去除存在著由塑性去除逐漸轉變?yōu)榇嘈云屏讶コ嘧冞^程，在小于材料的臨界切深厚度條件下，可以對硬脆材料進行能提高

2、磨削表面質量的塑性加工，論文給出了晶片的塑性磨削是晶片減薄技術的理論根據(jù)。 論文根據(jù)以上理論，結合減薄工藝中對晶片減薄質量的要求，對比了Creep-Feed和In-Feed兩種減薄原理的優(yōu)缺點，得出In-Feed減薄原理能很好地融入減薄設備設計的效率原則和力學原則，因此在減薄設備中確立了In-Feed減薄原理的技術方法。 論文還研究了減薄設備適用于減薄工藝的磨輪轉速、承片臺轉速、工作臺轉速、磨輪進給速度以及磨輪主軸功率五

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