脈沖功率源測(cè)控單元屏蔽效能研究及內(nèi)部磁場(chǎng)分布分析.pdf

1、本論文以模塊化脈沖功率技術(shù)為背景，研究模塊內(nèi)部測(cè)控單元電磁干擾。隨著電磁發(fā)射技術(shù)的發(fā)展，對(duì)其中的脈沖功率源模塊提出了更高的要求，小型化、模塊化已成為發(fā)展趨勢(shì)。新技術(shù)的發(fā)展也帶來的新的困難，以前不太重視的電磁干擾也成為阻礙模塊發(fā)展的一個(gè)重要的研究領(lǐng)域。論文的主要內(nèi)容是測(cè)控單元屏蔽效能研究及內(nèi)部磁場(chǎng)分布分析。研究的內(nèi)容有以下幾點(diǎn)： 首先，介紹了脈沖功率源系統(tǒng)組成、工作原理，并通過軟件對(duì)模塊放電過程進(jìn)行理論仿真，對(duì)測(cè)控單元受干擾途徑進(jìn)

2、行了理論研究，并在此基礎(chǔ)上分析了抗干擾的措施。 其次，利用一般的電磁場(chǎng)定理對(duì)脈沖電抗器外部磁場(chǎng)理論計(jì)算進(jìn)行了推導(dǎo)，并進(jìn)行取點(diǎn)計(jì)算，通過頻譜分析，得到脈沖電抗器外部磁場(chǎng)的頻譜特性，并在此基礎(chǔ)上得到減小磁場(chǎng)對(duì)測(cè)控單元干擾的方法。 然后，選擇屏蔽點(diǎn)和合適的測(cè)試方法對(duì)測(cè)控單元內(nèi)部磁場(chǎng)測(cè)試，通過測(cè)試的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)對(duì)測(cè)控單元屏蔽效能進(jìn)行研究。 最后，在測(cè)控單元中選擇7個(gè)點(diǎn)，通過對(duì)這7個(gè)點(diǎn)的數(shù)據(jù)分析出模塊放電過程中測(cè)控單元內(nèi)部磁場(chǎng)