聚合物發(fā)光器件的制備及性能研究.pdf

1、聚合物發(fā)光器件（Polymer light-emitting diode，簡(jiǎn)稱PLED）由于其廣泛的應(yīng)用，引起了人們極大的興趣，并取得了長(zhǎng)足的發(fā)展。但是目前產(chǎn)品的性能尚非盡善盡美，器件的穩(wěn)定性和發(fā)光效率還有待進(jìn)一步提高，以滿足高技術(shù)領(lǐng)域的更廣泛的應(yīng)用要求。針對(duì)聚合物發(fā)光器件目前所存在的問題，本論文的研究重點(diǎn)在于器件的制備工藝，并取得了一定的研究成果。
　?。?）利用原子力顯微鏡、接觸角測(cè)試儀、紫外分光光度計(jì)從微觀角度研究了乙醇、氫

2、氧化鈉、濃硫酸、氧等離子體處理對(duì)ITO薄膜的表面性能和光電性能的影響。經(jīng)氧等離子體處理后，ITO薄膜的表面粗糙度減小，平整度提高，提高了ITO薄膜表面的潤(rùn)濕性能，改善了有機(jī)物在其表面的成膜性能。另一方面，氧等離子體處理使ITO薄膜表面的富Sn氧化物進(jìn)一步氧化，形成穩(wěn)定的SnO，減少了ITO薄膜表面的氧空位和Sn4+數(shù)量，使其功函數(shù)增大。因此，采用氧等離子體處理的ITO薄膜作為OLED的陽極將降低發(fā)光器件的開啟電壓，提高其發(fā)光效率。

3、>　?。?）利用原子力顯微鏡、紫外分光光度計(jì)對(duì)MEH-PPV薄膜表面性能以及電性能進(jìn)行了研究，討論了薄膜制備工藝對(duì)器件性能的影響。結(jié)果表明：熱處理、退火能夠改善薄膜的表面形貌，從而增加了膜層與電極之間的有效接觸，優(yōu)化了器件性能；另外，旋涂成膜轉(zhuǎn)速的變化，引起膜厚的變化，從而引起器件的J-V特性變化。
　　（3）采用聚乙烯基咔唑(PVK)作為空穴傳輸層(HTL)，8–羥基喹啉鋁(Alq3)作為發(fā)光層(EML)，制備了結(jié)構(gòu)為ITO/P