BMT-PT基壓電陶瓷的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本實驗通過傳統(tǒng)的固相合成法制備了(1-x)Bi(Mg1／ETi1／2)O3-xPbTiO3體系壓電陶瓷,通過X射線衍射(XRD)物相分析,掃描電了顯微鏡(SEM)顯微結構觀察,壓電、介電等機電性能分析,討論了該體系準同型相界附近的性質,Mg／Ti比的影響,極化條件的選擇以及MnO2摻雜的影響。
　　 通過研究PT含量對體系的影響,得到準同型相界在一個較寬的范圍內,隨著PT含量的增加,體系的c／a增大,由三方相逐漸向四方相轉變,介

2、電峰逐漸右移,這說明居里溫度逐漸升高。在x=0.4,燒結溫度為1025℃并保溫2h時,d33=196pC／N,Kp=29.5％,εT33／ε0=1006,tanδ=4.3％,Tc=480℃,此處材料的綜合性能最佳。
　　 在0.6Bi(MgyTiz)O3-0.4PbTiO3體系的基礎上,研究了Mg和Ti含量比例的變化以及燒結溫度對材料性能的影響,在y=0.52,燒結溫度為1075℃并保溫2h時,d33=190pC／N,Kp=30

3、.2％,εT33／ε0=934,tanδ=3.9％,此處綜合性能最佳。通過改變極化電場大小,得到適合本實驗的最佳電場4.5kV／mm。同時,還研究了溫度對壓電性能的影響,該體系的壓電性能可以保持到250℃不變化,在250℃～350℃之間,從192pC／N減小到164pC／N,變化幅度不大,說明該體系有很好的高溫應用前景。
　　 將摻雜劑MnO2與其他原料一次混合,來研究MnO2摻雜對0.6Bi(Mg1／2Ti1／2)O3-0.4

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