高壓MOSFETS的優(yōu)化設(shè)計(jì)及參數(shù)提取.pdf

1、高壓半導(dǎo)體器件作為高壓集成電路的重要組成部分，其性能及可靠性直接關(guān)系到最終電路系統(tǒng)的質(zhì)量和成敗，開(kāi)發(fā)具有高優(yōu)化性及高可靠性的高壓器件對(duì)電路系統(tǒng)應(yīng)用具有十分重要的意義。本文的主要工作是設(shè)計(jì)了二款高壓器件(STI-LDMOS和SJMOS)，并將其應(yīng)用于相應(yīng)的電路當(dāng)中。
　　 鑒于標(biāo)準(zhǔn)BCD工藝和標(biāo)準(zhǔn)DMOS工藝具有良好的工藝能力，因此本文分別基于標(biāo)準(zhǔn)BCD工藝和標(biāo)準(zhǔn)DMOS工藝開(kāi)發(fā)高壓器件，不僅可以保證器件的性能，還能縮短器件的開(kāi)發(fā)

2、周期。然而，由于采用傳統(tǒng)的工藝和器件結(jié)構(gòu)，傳統(tǒng)高壓器件在電路應(yīng)用中暴露了某些固有缺陷：芯片使用面積過(guò)大，驅(qū)動(dòng)能力不足等。為此，本文在深入研究了半導(dǎo)體物理原理和高壓MOS器件結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，分別引入STI技術(shù)替代LOCOS技術(shù)對(duì)LDMOS進(jìn)行重新設(shè)計(jì)和使用超結(jié)結(jié)構(gòu)對(duì)VDMOS進(jìn)行結(jié)構(gòu)優(yōu)化，并結(jié)合SILVACO軟件對(duì)這兩種器件進(jìn)行工藝器件參數(shù)優(yōu)化。為得到電路設(shè)計(jì)所需的器件電氣參數(shù)，本文還應(yīng)用BsimProPlus軟件對(duì)所設(shè)計(jì)的高壓MOS器件進(jìn)

3、行參數(shù)提取。
　　 本論文工作主要的創(chuàng)新點(diǎn)體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：
　　 (1)在LDMOS器件設(shè)計(jì)方面，使用STI技術(shù)來(lái)取代LOCOS技術(shù)，降低LDMOS的比導(dǎo)通電阻，提高了芯片的功率密度；
　　 (2)在SJMOS器件設(shè)計(jì)方面，對(duì)器件版圖和器件退火時(shí)間的重新設(shè)計(jì)，減少了SJMOS掩模版的數(shù)量，降低了SJMOS工藝生產(chǎn)成本；
　　 (3)在器件參數(shù)提取方面，應(yīng)用現(xiàn)有的BsimProPlus軟件和HVMOS模