高性能磁控濺射靶槍的設計.pdf

1、自從20世紀70年代早期磁控濺射技術誕生以來,磁控濺射技術在高速率沉積金屬、半導體和介質薄膜方面已取得了巨大的進步。在磁控濺射生產過程中特別關注靶材利用率、沉積速率以及濺射過程穩(wěn)定性等方面的問題,解決這些問題根本在于整個系統(tǒng)的優(yōu)化設計,而靶的設計則是其中的關鍵環(huán)節(jié)。國外在靶的分析和設計方面優(yōu)勢明顯,已經實現專業(yè)化和產業(yè)化；國內針對該方面的研究還比較少,企業(yè)也基本處于購買和仿制階段,因此對于相關問題的研究將具有重要的學術和實踐價值。本文主

2、要討論以下幾個方面的問題： 1.研究現有的磁控濺射鍍膜的相關理論和實驗中經常遇到的問題,討論了靶材刻蝕不均勻、薄膜沉積速率較低和均勻性不好等問題,提出了相應的解決思路和方法,即可根據電磁場的分布來判斷設計結構是否合理。 2.通過磁場的有限元模擬,系統(tǒng)分析了磁軛、內外磁極高度差、導磁片等結構設計及參數設置對靶面磁場分布的影響。根據模擬結果,有針對性的調節(jié)各個結構參數,從不同角度優(yōu)化靶面磁場分布,最終通過調整導磁片和內外磁極