跌落對(duì)手持設(shè)備中閃存芯片可靠性的影響.pdf

1、為提高使用于手持設(shè)備中閃存芯片的可靠性，防止跌落的沖擊力對(duì)芯片的破壞性傷害，本文利用試驗(yàn)方法及數(shù)理統(tǒng)計(jì)分析法，對(duì)焊墊材料和開(kāi)孔直徑進(jìn)行研究，通過(guò)考察累積故障百分比與跌落次數(shù)關(guān)系，為芯片制造商選擇開(kāi)孔直徑和焊墊材料時(shí)提供有益的技術(shù)參考。選取3種開(kāi)孔直徑SRO(300μm，325μm，350μm)和2種焊墊材料PF(Ni／Au，OSP)的芯片，應(yīng)用表面黏著工藝SMT封裝在測(cè)試板上，然后將測(cè)試板固定在沖擊模組上，在不同的跌落測(cè)試條件下(載荷與

2、沖擊時(shí)間分別設(shè)置為1500G，0．5ms±10％和900G，0．7ms±10％)，進(jìn)行JEDEC標(biāo)準(zhǔn)跌落試驗(yàn)，每種樣品數(shù)量為45件，每件樣品重復(fù)跌落100次。再利用檢波器來(lái)檢測(cè)閃存芯片與測(cè)試印刷電路板之間的功能性的故障，記錄故障發(fā)生時(shí)的跌落次數(shù)。優(yōu)化試驗(yàn)基本與常規(guī)試驗(yàn)相同，區(qū)別在于選取1種開(kāi)孔直徑SRO(300μm)和2種焊墊材料PF(Ni／Au，OSP)的芯片，在比較嚴(yán)格的跌落測(cè)試條件下(載荷與沖擊時(shí)間分別設(shè)置為2900G，0．3ms