白光LED用長波段發(fā)射熒光體的制備與研究.pdf

1、本文針對藍光、紫光、近紫外LED芯片分別合成了三種可調光的熒光粉，分別為:Tb2.94Al5-2xMgxS ixO12∶Ce3+0.06（0≦x≦0.6）、Sr3AlxSi1-xO5∶Ce3+，Eu2+以及具有自組裝花狀形貌的納米Gd2O2S∶Eu3+及Gd2O2S∶ xYb3+，0.01 Er3+熒光體。
　　 在本文第二章中我們通過了固相燒結的方法，制備了一系列Mg-Si共摻雜Tb2.94Al5-2xMgxSixO12∶Ce

2、3+0.06（0≦x≦0.6）樣品。該熒光粉通過調節(jié)Mg-Si的摻雜量，其色坐標可在(0.457，0.539)至(0.512，0.483)之間調節(jié)。與460nm藍光芯片復合后，其白光色溫可從4900K調節(jié)至3500K，可適用于多種場合的需求。同時我們使用了X射線衍射結合Rietveld精修確定了Mg2+-Si4+離子摻雜的格位、周圍晶體環(huán)境及摻雜后晶體結構的變化情況。之后，本文結合了結構數(shù)據(jù)，分析討論了發(fā)射光譜發(fā)生紅移的原因:由于Ce3

3、+離子5d能級能量中心位移的增加（能量中心位置的下降）彌補了晶體場劈裂的減小，從而最終使發(fā)射光譜產(chǎn)生了紅移。
　　 在本文第三章節(jié)中我們研究了正三價B3+，Al3+及Ga3+離子作為電荷補償劑對Sr3SiO5∶Ce3+熒光體熒光性能的影響。通過使用X射線衍射精修及光譜分析，我們發(fā)現(xiàn)除B3+離子外，Al3+及Ga3+離子均可用做電荷補償劑補償Sr3SiO5∶Ce3+熒光體電荷失衡，并且Al3+離子作為電荷補償劑效果最好;之后，通過

4、在Sr2975-yAl0.025 Si0.975O5∶Ce0.0253+共摻雜Eu2+離子研究了Al3+離子在Ce3+-Eu2+共摻雜Sr3SiO5中必不可少的作用;通過調節(jié)Eu2+離子濃度使熒光體Sr2.975-yAl0.025Si0.975O5∶0.025Ce3+，yEu2+發(fā)射光譜往長波方向移動、峰位從530nm至580nm調節(jié)、色坐標從(0.342，0.518)至(0.442，0.479)范圍內(nèi)調節(jié)，與420nm LED芯片復合

5、后白光色溫可從8500K至3700K之間調節(jié)，滿足了暖色光照明需求，同時也拓寬了Sr3SiO5體系熒光粉應用范圍。
　　 在第四章中我們主要開發(fā)了一種溫和的、簡易的方法制備Gd2O2S納米材料。在本章節(jié)中，我們主要使用乙二胺與乙醇的混合溶液作為溶劑，并且加入一定量的油胺作為穩(wěn)定劑。制備了一種由正六邊形小片自組裝的花狀納米Gd2O2S顆粒，并對成相條件、形貌調控等做了一系列的討論;最后，我們使用Eu3+離子摻雜Gd2O2S制得了花