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文檔簡介
1、隨著世界能源問題的日趨嚴(yán)重,作為太陽能電池吸收層的CuInSe2薄膜越來越受到人們的重視,本文研究了溫和化學(xué)條件下CuInSe2薄膜的電沉積制備,實(shí)現(xiàn)了可在ZnO等耐酸堿性差的基底上沉積CuInSe2薄膜的目的。 課題在調(diào)查近中性pH溫和條件下電沉積CuInSe2薄膜體系的影響因素的基礎(chǔ)上,首次采用雙電位階躍電沉積(DPSED)方法,并結(jié)合絡(luò)合劑的輔助,克服了三元組分沉積電位不匹配的問題,在溫和條件下電沉積制備出了接近化學(xué)劑量的
2、黃銅礦CuInSe2薄膜。 首先在ITO玻璃基底上,利用線性伏安法研究了不同絡(luò)合劑、不同溫度以及不同濃度對單一CuCl2·2H2O、InCl3·4H2O、SeO2水溶液體系沉積電位的影響。實(shí)驗得出,在溫和條件下通過上述措施,難以實(shí)現(xiàn)CuInSe2薄膜的常規(guī)電沉積;檸檬酸鈉適合作溫和條件下電沉積溶液的絡(luò)合劑;在-800mV與-1400mV兩個沉積電位下,沉積溶液中的三元素Cu、In、Se傾向于兩兩共沉積,由此提出了DPSED方法。
3、 在DPSED沉積研究中,沉積溶液pH值為6-7的近中性條件,以CuCl2·2H2O、InCl3·4H2O、SeO2為前驅(qū)體,以檸檬酸鈉為絡(luò)合劑,通過加入過量的檸檬酸鈉方式,獲得了穩(wěn)定三元共混的電沉積溶液??疾炝薉PSED沉積體系、溶液Cu/In比以及階躍參數(shù)對薄膜沉積結(jié)構(gòu)、化學(xué)計量與光學(xué)性能的影響。通過XRD、XPS、SEM、UV-Vis表征了薄膜。 實(shí)驗表明,雙階躍電位點(diǎn)分別為-800mV與-1400mV,持續(xù)時間分
4、別為30s與60s,循環(huán)次數(shù)為5次。使用檸檬酸鈉為15mM,Cu: In: Se=5:3:5時,得到了接近化學(xué)劑量比的無定形沉積膜,隨后在氬氣氛保護(hù)熱處理,400℃保溫1小時,無定形沉積膜進(jìn)一步結(jié)晶,獲得結(jié)晶良好,光學(xué)性能優(yōu)異的CuInSe2薄膜。Cu/In比變化顯著影響薄膜形貌及半導(dǎo)體性質(zhì),階躍參數(shù)的變化也會影響薄膜形貌。 DPSED沉積過程分析表明,在階躍沉積樣品的XRD衍射譜上出現(xiàn)了CuIn合金相,這可能為生成近化學(xué)劑量
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