電流激勵神經信號再生集成電路設計研究.pdf

1、中樞神經系統的損傷非常普遍，但在醫(yī)學上缺乏修復的方法。隨著微電子學和神經生物學等相關領域的飛速發(fā)展，可植入式芯片技術開始應用于神經疾病的研究與治療。本文中的電流激勵神經信號再生集成電路探索了利用微電子學的方法恢復壞死或受損的神經束功能。 采用分立器件研制的四通道神經信號再生電子系統已多次成功應用于動物實驗的神經信號再生，在該系統的基礎上確定了電流激勵神經信號再生集成電路的設計指標。電流激勵神經信號再生集成電路采用華潤上華0．5μ

2、m CMOS工藝設計，電路包括神經信號探測電路和跨導輸出電路，神經信號探測電路由全差分運算放大器和儀表放大器組成，跨導輸出電路為一跨導放大器。芯片尺寸為0．93mm×0．60mm。仿真結果顯示在±2．5V工作電壓下，芯片功耗8．1mW，最大輸出電流可達0．35mA，跨導0．32mS，輸出電阻為152kΩ，總諧波失真小于2．5％，3dB帶寬大于4kHz。在測試中，芯片第一級發(fā)生振蕩。通過對電路進行分析，找到了振蕩原因。對跨導輸出電路單獨測