錳(鐵)硅薄膜微結(jié)構(gòu)研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、(1)用拉曼光譜研究MnSix和FeSix薄膜微結(jié)構(gòu)
　　 我們用拉曼光譜研究了不同退火溫度下MnSix和FeSix薄膜微結(jié)構(gòu),首次確定了錳硅化合物的兩個(gè)相,MnSi1.73相和MnSi相的拉曼光譜。每一個(gè)錳硅化合物的相在300cm-1附近有一套3個(gè)峰的拉曼光譜,它們能夠被用來作為確定錳硅化合物形成的指紋。相比較傳統(tǒng)XRD方法,拉曼光譜對于研究錳硅化合物的微結(jié)構(gòu)更為靈敏,特別是在錳硅化合物形成初期。
　　 我們在外延生長

2、制備Fe摻雜Si薄膜時(shí),通過拉曼光譜發(fā)現(xiàn),可以通過控制生長薄膜的厚度來提高外延薄膜的質(zhì)量及控制相分離。
　　 (2)用雙晶X射線衍射(DCXRD)研究Mn摻雜和Fe摻雜硅薄膜微結(jié)構(gòu)
　　 雙晶XRD被用來研究Mn摻雜和Fe摻雜Si薄膜微結(jié)構(gòu)。我們測量了Si(400)峰附近的凸起。當(dāng)Si(400)峰右面凸起時(shí),是由于Mn或Fe原子在間隙位置引起,因?yàn)樗鼈儨p小了晶格常數(shù)。當(dāng)Si(400)峰左面凸起時(shí),是由于Mn或Fe原子在替

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