新穎液晶光閥及紫外光電二極管陣列的研究.pdf

1、液晶光閥作為光電信息處理技術(shù)中的一種關(guān)鍵器件,已被廣泛應(yīng)用于通訊、機(jī)器人視覺、光學(xué)計(jì)算機(jī)、神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)、大屏幕投影顯示等方面.但是受光敏層材料對寫入光波長的響應(yīng)限制,目前絕大部分液晶光閥都只工作在可見和紅外光范圍,對以分子束外延生長的ZnS<,X>Se<,1-X>薄膜作為光敏層,響應(yīng)波長連續(xù)可調(diào)的光盲紫外液晶光閥還未見報(bào)道.該文討論了這種ZnSxSe<,1-X>光盲紫外液晶光閥的結(jié)構(gòu)和工作原理,并通過對器件電學(xué)模型的分析,導(dǎo)出為使器件正常工

2、作,ZnS<,X>Se<,1-X>光敏層必須滿足的結(jié)構(gòu)參數(shù)和光電特性要求.確定了對ITO襯底進(jìn)行預(yù)處理的最佳條件和參數(shù),獲得了原子級平整的ITO襯底,AFM測得其RMS平均粗糙度僅為0.2nm.采用分子束外延技術(shù)在ITO導(dǎo)電玻璃上低溫沉積了ZnS<,X>Se<,1-X>多晶薄膜,詳細(xì)研究了薄膜制備的工藝參數(shù),在最佳沉積條件下,制備獲得了晶型為立方閃鋅礦,并具有(111)面高度定向生長結(jié)構(gòu)的柱狀ZnS<,X>Se<,1-X>多晶薄膜,其R

3、MS表面粗糙度最小可達(dá)1.2nm .XPS深度剖析顯示所制備的薄膜;其內(nèi)部成分均勻,無偏析和凝聚,界面清晰而陡峭,擴(kuò)散不嚴(yán)重.研究了采用MBE系統(tǒng)沉積ZnS<,X>Se<,1-X>多晶薄膜的生長機(jī)理,分析了襯底溫度、沉積速率及薄膜組分對薄膜微結(jié)構(gòu)的影響,提出的"類結(jié)構(gòu)區(qū)域模型"可以較完整地解釋ITO襯底上ZnS<,X>Se<,1-X>多晶薄膜生長的機(jī)理.研究了液晶光閥介質(zhì)鏡層的制備并對液晶定向?qū)拥某Ｒ?guī)摩擦定向工藝步驟進(jìn)行了改進(jìn).以ZnS