基于低壓壓印制備硅點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)的工藝研究及其應(yīng)用.pdf

1、硅納米線(xiàn)由于其特有的半導(dǎo)體、機(jī)械性能、光電特性,日益成為人們研究的重點(diǎn)。目前在場(chǎng)效應(yīng)晶體管、生物及化學(xué)傳感器、集成邏輯電路、太陽(yáng)能電池等多個(gè)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。雖然目前制備硅納米線(xiàn)的方法有許多種,如氣液固生長(zhǎng)法、氧化輔助生長(zhǎng)法、固液固生長(zhǎng)法,但是大部分往往是無(wú)規(guī)則的生長(zhǎng)法,因此如何制備高密度、圖形規(guī)則的硅點(diǎn)陣納米結(jié)構(gòu)有著積極的意義。
　　本文以玻璃模板的點(diǎn)陣圖案為基礎(chǔ),對(duì)納米壓印這一圖形復(fù)制技術(shù)進(jìn)行了理論研究和相關(guān)工藝參數(shù)的優(yōu)化,

2、通過(guò)低壓壓印將圖案轉(zhuǎn)移到硅片上的PMMA層,實(shí)驗(yàn)和有限元模擬結(jié)果表明,低壓壓印因?yàn)槊?xì)作用下光刻膠在模板內(nèi)的充分填充可以獲得良好的圖形復(fù)制精度和較小的殘余膠厚度,因此適于大面積高密度光刻膠結(jié)構(gòu)的均勻復(fù)制。然后以其作掩模,探索金屬輔助濕法刻蝕以及反應(yīng)離子刻蝕的原理和最佳實(shí)驗(yàn)參數(shù),并介紹了一種基于雙層膠技術(shù)制備適用于溶膠去膠法的下切結(jié)構(gòu)掩模的方法;制備了硅納米結(jié)構(gòu),驗(yàn)證其與平面硅相比有更好的光捕獲性能。最后將其應(yīng)用于硅太陽(yáng)能電池器件的制備,