基于無機納米晶-聚合物復合薄膜電雙穩(wěn)特性研究.pdf

1、為了克服無機半導體存儲器發(fā)展可能達到的開發(fā)極限，開發(fā)新型存儲材料成為科學界廣泛研究的課題，在眾多新型存儲材料中，有機材料由于可折疊、成本低、存儲密度高等成為很有潛力的材料之一，然而隨著科學技術(shù)的發(fā)展，單一性質(zhì)的材料已經(jīng)跟不上時代發(fā)展的腳步，復合材料成為現(xiàn)代材料發(fā)展的趨勢。近年來，隨著無機納米材料合成技術(shù)和性質(zhì)研究的突破，將無機納米材料引入到聚合物材料中形成聚合物基無機納米復合材料越來越成為信息存儲科學領(lǐng)域的研究熱點。
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2、中我們制備了十二硫醇包覆的無機納米晶，并將其引入到聚合物之中，采用旋涂的方法制備了基于無機納米晶/聚合物復合薄膜的電雙穩(wěn)器件，研究了器件的電學特性，并探討了影響電雙穩(wěn)器件性能的因素和器件的工作機制。所作主要工作包括以下內(nèi)容：
　　 1．通過一步法合成了分散性較好的十二硫醇包覆的Cu2S和Ag納米晶；通過透射電子顯微鏡(TEM)、X射線粉末衍射(XRD)等手段對納米晶的形貌和結(jié)構(gòu)進行了表征；
　　 2．利用有機聚合物PVK

3、摻雜Cu2S作為功能層，通過旋涂的方法制作了結(jié)構(gòu)為ITO/PEDOT:PSS/PVK:Cu2S/Al的電雙穩(wěn)器件，通過改變PVK:Cu2S的配比濃度研究了Cu2S納米晶對影響器件的作用，并研究了有機功能層厚度、掃描電壓范圍對器件性能的影響，最后通過實驗和理論擬合研究了器件在高低導電狀態(tài)電荷的輸運模式。
　　 3．將Ag納米晶與聚合物PVK復合，采用旋涂的方法制備了基于Ag納米晶和PVK復合體系的結(jié)構(gòu)為ITO/PEDOT:PSS/