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文檔簡介
1、納米材料因其具有尺寸小、能耗低、速度快、靈敏度高和費用低的優(yōu)勢在電子器件和傳感器等眾多領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用?,F(xiàn)在,越來越多的方法用于合成納米材料,不僅可以得到不同材料的納米線,同時納米線的種類也不斷擴(kuò)展,如納米顆粒、納米薄膜、納米線和納米通道等。本文主要講述了從氣相法、模版法和交流電沉積的方法組裝納米材料的研究進(jìn)展并對交流電沉積制備貴金屬材料的納米線的方法進(jìn)行詳細(xì)研究。貴金屬材料因其高效的催化活性和生物相容性受到了廣泛的關(guān)注。實驗通過合成
2、Au-Pd合金納米線,將其制成無酶葡萄糖傳感器,并通過檢測體系中的電流變化來檢測葡萄糖含量,這是對貴金屬材料應(yīng)用和無酶葡萄糖傳感器研究的新的探索。
采用雙頻的正弦交流電沉積制備Au-Pd合金納米線,通過SEM,EDX和XRD對表征納米線形貌進(jìn)行,測定合金成分的和檢測晶體晶相。研究獲得了制備細(xì)且直的納米線的最佳條件和納米線成分隨實驗條件的變化規(guī)律,控制樹枝狀納米線形貌和成分,測試納米線的葡萄糖傳感器性能。
研究
3、結(jié)果表明:
(1)在控制交流電參數(shù)的條件下,研究了溶液離子比對納米線形貌和成分的影響。CPdCl2/CHAuCl4濃度比對納米線的形貌沒有影響,但是總濃度影響納米線的形貌。離子濃度比對合金納米線的成分影響很大,CPdCl2/CHAuCl4的溶液比從1增加到6,合金納米線中Pd的成分從2.5 wt.%增加到68.5 wt.%,而且CPdCl2/CHAuCl4溶液比達(dá)到5以后,Pd的成分不再隨溶液Pd2+的比例增加而增大,實驗
4、中固定CPdCl2/CHAuCl4的濃度比為5∶1的比例來研究電場強(qiáng)度和頻率對合金成分的影響。
(2)交流電的電場強(qiáng)度顯著影響納米線的成分和形貌。制備合金納米線施加的電場強(qiáng)度具有臨界值。用20~40μm的微電極,施加12~16 VPP的交流電,電場強(qiáng)度從0.1×106 V·m-1增大到0.4×106 V·m-1,可以成功地得到直接細(xì)小的分枝較少的合金納米線來。合金納米線中Pd的成分可以從25 wt.%到67 wt.%的范圍
5、內(nèi)變化。合成具有一定形貌和成分的合金納米線,電場強(qiáng)度的控制是一種極為有效方法。
(3)頻率對納米線的成分和形貌的影響也有很大。采用變頻交流電的沉積方法,在一定的場強(qiáng)下和一定濃度混合離子電解液中,先低頻成核、再高頻生長得到納米線。300 Hz是較合適成核頻率,用1~20 MHz的頻率來生長納米線,可以獲得成線性好的納米線陣列。隨著生長頻率的逐漸升高,納米線的直徑減小,分支減少,線性更好。3~20 MHz的頻率變化范圍內(nèi),合金
6、中Pd的成分可以從60 wt.%變化到80 wt.%。
(4) XRD實驗證明制備的納米線是面心立方(fcc)晶格結(jié)構(gòu),金鈀是均勻混合的合金相結(jié)構(gòu)組織,枝狀單晶結(jié)構(gòu)。合金納米線的晶格參數(shù)隨著交流電頻率的變化而改變,且呈現(xiàn)線性關(guān)系,這印證了文中所述的交流電的頻率對合金納米線成分的影響,成分的改變影響了合金納米線的2θ,進(jìn)而通過布拉格方程的計算,可以得到合金材料的晶格常數(shù)的改變。
(5) Au-Pd合金納米線可以
7、制成葡萄糖傳感器。納米線對葡萄糖的還原具有良好的催化活性和選擇性。在還原峰電流和氧化峰電流與掃面速率的平方根成線性關(guān)系,說明是控制擴(kuò)散過程。Au-Pd合金納米線對葡萄糖的電催化活性、選擇性高、反應(yīng)靈敏和重現(xiàn)性好。
本文的研究有如下幾個特色和創(chuàng)新之處:(1)揭示電場強(qiáng)度和頻率對合成金鈀合金納米線的影響規(guī)律,找到了合成金鈀合金納米線的最佳電場強(qiáng)度和頻率范圍。(2)采用變頻交流電合成納米線的新方法,為有效控制合金納米線的生長提供
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