摻鑭PZT及MFIS和MFMIS器件研究.pdf

1、鐵電材料以其固有特性如剩余極化特性、壓電特性、高介電常數(shù)、光電效應目前得到廣泛的研究。而利用其極化特性制備的各種存儲器件具有高的存儲速度，高存儲密度和可靠性在非揮發(fā)性存儲領域受到日益重視，有希望成為繼flash之后新一代的非揮發(fā)性存儲器件?！　”疚闹饕獜蔫F電材料出發(fā)，研究其摻雜改性工作，在此基礎上研究了鐵電半導體電容結構，然后制備了MFIS和MFMIS場效應管型鐵電存儲器件，研究其存儲特性，最后將其運用于非揮發(fā)性邏輯單元中進行了研究。

2、　　在鐵電材料研究部分，本文從基本的PZT(鋯鈦酸鉛)鐵電材料PZT出發(fā)，研究了鑭摻雜改性對PZT鐵電性，抗疲勞特性和漏電流特性的影響，得出了適用于鐵電單管存儲器件，綜合特性良好的PZT薄膜，為下一步的工作提供了重要的依據(jù)?！　∑浯畏治隽瞬煌愋偷蔫F電存儲器件，制備了Pt/PZT/SiO2/Si和Pt/PZT/ZrO2/Si兩種鐵電半導體電容結構，研究了不同的介質層厚度和介質材料對I-V、C-V曲線的影響，詳細地分析了頻率對C-V曲

3、線形狀和存儲窗口的影響，并結合模型的預測對低頻C-V曲線及介面陷阱產生和作用機理進行了深入的探討。　　在MFIS和MFMIS器件制備部分，對原有的版圖進行了改進，進行了器件的流片工作，制備了具有不同寬長比和上下電極面積比的存儲器件。對其非揮發(fā)性和非破壞性讀出特性進行了分析，研究了不同讀寫電壓對存儲窗口的影響。著重對MFIS和MFMIS器件的保持特性和疲勞特性進行了研究?！　∽詈筮€研究了鐵電單管存儲單元在非揮發(fā)性邏輯電路中的運用，搭建