關(guān)于降低液晶電視響應(yīng)時(shí)間的研究.pdf

1、本文根據(jù)國(guó)內(nèi)的現(xiàn)有技術(shù)水平側(cè)重提高響應(yīng)速度和高顯示性能非晶硅薄膜晶體管液晶顯示器(a-SiTFT-LCD)的研究和設(shè)計(jì)，主要工作包括驅(qū)動(dòng)電路的分析和設(shè)計(jì)，液晶盒內(nèi)材料的優(yōu)化組合，液晶工藝參數(shù)的選取和匹配，信號(hào)響應(yīng)時(shí)間和保持時(shí)間設(shè)計(jì)等。 引用濺射法制備ITO和Al/Cr薄膜，用PECVD法制備SiNx、a-Si和n+a-Si薄膜，利用H處理提高a-Si的遷移率。這些功能膜的性能和制備條件參數(shù)滿(mǎn)足提高a-SiTFT-LCD器件響應(yīng)速

2、度的要求。 利用已制備的功能膜的光電性能和現(xiàn)有的技術(shù)水平設(shè)計(jì)出14英寸1024×768TFT陣列的結(jié)構(gòu)參數(shù)為：像素面積為166μm×166μm開(kāi)口率約55％，開(kāi)關(guān)比為106。其中柵絕緣層為厚度不同的雙層SiNx膜、電極為低電阻率厚度不同Al/Cr雙層金屬膜、半導(dǎo)體活性層為單層a-Si膜、存儲(chǔ)電容Cs共柵安裝，對(duì)液晶盒內(nèi)的材料參數(shù)選取等進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)。本設(shè)計(jì)的a-SiTFT中的驅(qū)動(dòng)方式采用動(dòng)態(tài)驅(qū)動(dòng)的高壓驅(qū)動(dòng)，完成對(duì)TFT的快速充電