高線性零中頻混頻器設(shè)計(jì).pdf

1、本論文選擇了零中頻架構(gòu)并設(shè)計(jì)了該接收器系統(tǒng)中的零中頻混頻器核心電路和直流偏移消除(DCC)環(huán)路電路(基帶可變?cè)鲆娣糯笃鰾BVGA和基帶低通濾波器BBLPF除外)。在混頻器核心設(shè)計(jì)中，利用BiCMOS工藝的優(yōu)勢(shì)，采用以吉爾伯特混頻單元為核心的雙平衡Bipolar混頻器，利用跨導(dǎo)級(jí)源極負(fù)反饋電阻提高線性度，并設(shè)計(jì)了有效的二階低通濾波器作為負(fù)載實(shí)現(xiàn)增益和基帶預(yù)濾波。在研究直流偏移的來源和危害后，總結(jié)分析了近年主要的五種DCC技術(shù)，設(shè)計(jì)了一款基

2、于單級(jí)直流負(fù)反饋環(huán)路法的DCC電路。本文對(duì)該DCC電路中的各個(gè)模塊電路(BBVGA和BBLPF除外)進(jìn)行了詳細(xì)分析，最后給出了各個(gè)模塊和整個(gè)系統(tǒng)的仿真結(jié)果。 采用捷智半導(dǎo)體(JAZZSemiconductor)0.35μmSiGeBiCMOS工藝設(shè)計(jì)了電路和版圖，電源電壓5V。仿真結(jié)果表明，混頻器核心電路轉(zhuǎn)換增益為8.843dB，雙邊帶噪聲系數(shù)為17.43dB，輸入三階交調(diào)點(diǎn)達(dá)13.8534dBm，消耗電流1.8mA；整個(gè)環(huán)路系