基于石墨烯通道的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的可制造性研究.pdf

1、晶體管是計(jì)算機(jī)高速運(yùn)行的保障，晶體管技術(shù)的發(fā)展推動(dòng)了計(jì)算機(jī)產(chǎn)業(yè)的革命，摩爾定律則間接推動(dòng)了整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展?，F(xiàn)有的加工工藝已經(jīng)發(fā)揮到了較高的階段，傳統(tǒng)材料極限無(wú)法突破，亟待更優(yōu)良的新型材料出現(xiàn)來(lái)推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。石墨烯材料作為近幾年研究的熱門(mén)材料，其擁有獨(dú)特的電學(xué)及物理性質(zhì)，它是只有一個(gè)碳原子厚度的二維材料，有著運(yùn)算度快和體積小的雙重優(yōu)點(diǎn)，應(yīng)用前景廣泛。
　　石墨烯晶體管的成功研發(fā)能夠再延續(xù)摩爾定律經(jīng)典。本文通過(guò)使用半導(dǎo)體工

2、藝器件仿真軟件 TCAD進(jìn)行器件的制造工藝和性能仿真，通過(guò)調(diào)研和分析，設(shè)計(jì)了該器件的制造工藝流程以及確定工藝參數(shù)，以這個(gè)器件模型為基礎(chǔ)來(lái)研究基于石墨烯界面層的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制造工藝和性能，通過(guò)對(duì)工藝數(shù)據(jù)的可控性修改得到一個(gè)合乎實(shí)際的模型。該FET基于SiC基底生長(zhǎng)，省略了石墨烯從基底上轉(zhuǎn)移的工藝，大大減少了可能引入雜質(zhì)等問(wèn)題，其制造的晶體管速度提升快，潛力巨大，仿真得到的IV特性以及特征頻率等性能參數(shù)顯示這種新型晶體管的高頻率特性，都證