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文檔簡介
1、本文從微測輻射熱計陣列的制作出發(fā)，研究了熱敏材料多晶硅，設(shè)計了全鏤空的懸臂梁陣列結(jié)構(gòu)，采用將體硅工藝和表面硅工藝結(jié)合起來成功的制作了陣列結(jié)構(gòu)，根據(jù)陣列的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和陣列制作工藝與CMOS工藝的不兼容，提出了陣列結(jié)構(gòu)與CMOS信號電路的集成方案。文章用SiH2Cl2沉積了多晶硅薄膜，用掃描電鏡、干涉法膜厚測試儀、X射線衍射儀、薄膜應(yīng)力測試儀對薄膜進(jìn)行了研究，得出在950℃時用SiH2Cl2可以快速沉積低應(yīng)力的多晶硅薄膜；制作了不同摻硼濃度和
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